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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
EDZ9HUTE6110B Rohm Semiconductor Edz9hute6110b -
सराय
 ECAD 9832 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE6110BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RD3P200SNFRATL Rohm Semiconductor RD3P200SNFRATL 2.9900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RD3P200 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 20 ए (टीए) 4V, 10V 46MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1MA ५५ सना ± 20 वी 2100 पीएफ @ 25 वी - 20W (टीसी)
UT6J3TCR Rohm Semiconductor UT6J3TCR 0.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-पॉव Ut6j3 - २ तंग Huml2020l8 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 3 ए 85MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 8.5NC @ 4.5V 2000pf @ 10v -
EDZFHTE619.1B Rohm Semiconductor Edzfhte619.1b -
सराय
 ECAD 7302 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE619.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RBQ10RSM65BTL1 Rohm Semiconductor RBQ10RSM65BTL1 1.1700
सराय
 ECAD 710 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 670 mV @ 10 ए 150 µA @ 65 V 150 ° C 10 ए -
MTZJT-725.6B Rohm Semiconductor MTZJT-725.6B -
सराय
 ECAD 1378 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt725.6b Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 40 ओम
MTZJT-7724C Rohm Semiconductor MTZJT-7724C -
सराय
 ECAD 1112 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
R6035VNX3C16 Rohm Semiconductor R6035VNX3C16 6.7200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 R6035 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6035VNX3C16 Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 35 ए (टीसी) 10V, 15V 114MOHM @ 8A, 15V 6.5V @ 1.1MA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 2400 पीएफ @ 100 वी - 347W (टीसी)
QSX8TR Rohm Semiconductor Qsx8tr 0.6300
सराय
 ECAD 340 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 Qsx8 1.25W TSMT6 (SC-95) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 3,000 30V 1 क 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 350mv @ 25ma, 500ma 270 @ 100ma, 2v 320MHz
PDZVTR9.1B Rohm Semiconductor Pdzvtr9.1b 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.7% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr9.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 6 वी 9.65 वी 6 ओम
TDZVTR30 Rohm Semiconductor Tdzvtr30 0.3800
सराय
 ECAD 3927 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr30 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
2SA1774E3TLQ Rohm Semiconductor 2SA1774E3TLQ 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA1774 १५० तंग EMT3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 5MA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 140MHz
R6086YNZ4C13 Rohm Semiconductor R6086YNZ4C13 11.2000
सराय
 ECAD 3657 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 R6086 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247g तंग 1 (असीमित) 846-R6086YNZ4C13 30 n- चैनल 600 वी 86 ए (टीसी) 10V, 12V 44MOHM @ 17A, 12V 6V @ 4.6MA 110 सना ± 30V 5100 पीएफ @ 100 वी - 781W (टीसी)
RB552EATR Rohm Semiconductor RB552EATR 0.6200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 RB552 schottky TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 30 वी 500ma 590 एमवी @ 500 एमए 8 µa @ 15 V 150 ° C
RB048RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor RB048RSM10STFTL1 1.4600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 8 ए 3.4 @a @ 100 वी 175 ° C 8 ए -
R6020ANZ8U7C8 Rohm Semiconductor R6020ANZ8U7C8 -
सराय
 ECAD 8153 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6020 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6020ANZ8U7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 220MOHM @ 10A, 10V 4.15V @ 1MA 65 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 25 वी - 120W (टीसी)
RB218NS200FHTL Rohm Semiconductor RB218NS200FHTL 2.8400
सराय
 ECAD 934 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 880 mV @ 10 ए 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C7V5LT116 Rohm Semiconductor BZX84C7V5LT116 0.2300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor R6011KND3TL1 3.0400
सराय
 ECAD 8143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 R6011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीसी) 10V 390MOHM @ 3.8A, 10V 5V @ 1MA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 740 पीएफ @ 25 वी - 124W (टीसी)
RF505TF6S Rohm Semiconductor RF505TF6S 1.5600
सराय
 ECAD 942 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब RF505 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RSX058BM2SFHTL Rohm Semiconductor Rsx058bm2sfhtl 1.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky TO-252 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 3 ए 200 सवार @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
RB080LAM-30TR Rohm Semiconductor RB080LAME-30TR 0.4800
सराय
 ECAD 93 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB080 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 510 mV @ 5 ए 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RS1E280BNTB Rohm Semiconductor RS1E280BNTB 0.9400
सराय
 ECAD 72 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 28 ए (टीए) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 1MA 94 सना ± 20 वी 5100 पीएफ @ 15 वी - 3 letcunt (टीए), 30W (टीसी)
RB088RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB088RSM15STL1 1.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 10 ए 4.5 µA @ 150 V 175 ° C 10 ए -
RFN10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor RFN10TB4SNZC9 1.8200
सराय
 ECAD 985 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN10TB4SNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.55 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 430 V 150 ° C 10 ए -
RSX058LAP2STR Rohm Semiconductor RSX058LAP2STR 0.6200
सराय
 ECAD 5376 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 schottky सोद -128 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 3 ए 100 kay @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
EM6K34T2CR Rohm Semiconductor EM6K34T2CR 0.3900
सराय
 ECAD 322 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EM6K34 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 120MW EMT6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 2 the-चैनल (therी) 50 वी 200MA 2.2OHM @ 200mA, 4.5V 800MV @ 1MA - 26pf @ 10v लॉजिक लेवल गेट गेट, 0.9v ड
RBR30NS60ATL Rohm Semiconductor RBR30NS60ATL 1.7100
सराय
 ECAD 945 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 670 mV @ 15 ए 600 @a @ 60 V 150 ° C
BAT54AHMT116 Rohm Semiconductor BAT54AHMT116 0.2800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DTC144EEBTL Rohm Semiconductor DTC144EEBTL 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DTC144 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ३० सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5ma, 5v २५० तंग 47 47
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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AD9208BBPZ-3000

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