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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
PDZVTFTR2.2B Rohm Semiconductor Pdzvtftr2.2b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr2.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 700 एमवी 2.32 वी 20 ओम
RBR15BGE30ATL Rohm Semiconductor RBR15BGE30ATL 1.8400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 15 ए 510 mV @ 7.5 ए 200 µa @ 30 V 150 ° C
RFUH20NS3STL Rohm Semiconductor RFUH20NS3STL 2.1700
सराय
 ECAD 757 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH20NS3STLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µA @ 350 V 150 ° C 20 ए -
UDZSTE-177.5B Rohm Semiconductor UDZSTE-177.5B 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
SH8JE5TB1 Rohm Semiconductor Sh8je5tb1 2.4200
सराय
 ECAD 6852 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Sh8je5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) 8-सेप तंग 1 (असीमित) 2,500 2 पी-चैनल 100V 4.5 ए (टीए () 9.1MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1MA 52NC @ 10V 2100pf @ 50v तमाम
BAV99HMT116 Rohm Semiconductor BAV99HMT116 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB060M-60TR Rohm Semiconductor RB060M-60TR 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB060 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
1SS400GTE61 Rohm Semiconductor 1SS400GTE61 -
सराय
 ECAD 9035 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400GTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
BSS64AT116 Rohm Semiconductor BSS64AT116 0.3500
सराय
 ECAD 401 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS64 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 100 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 10MA, 100mA 30 @ 25ma, 1v 140MHz
1SS133T-72 Rohm Semiconductor 1SS133T-72 -
सराय
 ECAD 6865 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT 1SS133 तमाम एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1SS133T72 Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 130ma 2PF @ 0.5V, 1MHz
EDZVT2R9.1B Rohm Semiconductor Edzvt2r9.1b 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
RYC002N05T316 Rohm Semiconductor RYC002N05T316 0.3800
सराय
 ECAD 54 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Ryc002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 50 वी 200ma (TA) 4.5V 2.2OHM @ 200mA, 4.5V 800MV @ 1MA ± 8V 26 पीएफ @ 10 वी - 350MW (टीसी)
RCJ100N25TL Rohm Semiconductor RCJ100N25TL 0.8404
सराय
 ECAD 9128 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RCJ100 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 1,000 n- चैनल 250 वी 10 ए (टीसी) 10V 320MOHM @ 5A, 10V 5V @ 1MA २६.५ सना ± 30V 1440 पीएफ @ 25 वी - 1.56W (TA), 85W (TC)
RBQ5RSM65BTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm65btl1 0.9000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 660 mV @ 5 ए 90 @a @ 65 V 150 ° C 5 ए -
DTA123YE3TL Rohm Semiconductor DTA123YE3TL 0.3700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी DTA114T R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DTA123 १५० तंग EMT3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5V २५० तंग 10 कांपो
PDZVTR24A Rohm Semiconductor PDZVTR24A 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.79% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR24 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 वी 24.2 वी 16 ओम
RB550SS-30T2R Rohm Semiconductor RB550SS-30T2R -
सराय
 ECAD 8885 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) RB550SS-30 schottky KMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 590 एमवी @ 500 एमए 8 µa @ 15 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
R5011ANX Rohm Semiconductor R5011ANX -
सराय
 ECAD 5279 0.00000000 रोटी - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R5011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 500 वी 11 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1MA 30 एनसी @ 10 वी ± 30V 1000 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
RB521ZS-307EPT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-307EPT2R -
सराय
 ECAD 7604 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB521 schottky GMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB521ZS-307EPT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 ° C 100ma -
EMH52T2R Rohm Semiconductor EMH52T2R 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EMH52 १५० तंग EMT6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 150MV @ 500µA, 5ma 80 @ 5MA, 10V 250MHz 47KOHMS 47KOHMS
RB068MM100TR Rohm Semiconductor RB068MM100TR 0.4400
सराय
 ECAD 62 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 870 mV @ 2 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RR601BM4SFHTL Rohm Semiconductor RR601BM4SFHTL 1.2000
सराय
 ECAD 25 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RR601 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए -
EDZTE6113B Rohm Semiconductor Edzte6113b -
सराय
 ECAD 3165 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6113 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
DTA124EE3HZGTL Rohm Semiconductor Dta124ee3hzgtl 0.4100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DTA124 १५० तंग EMT3 तंग 1 (असीमित) तमाम 846-DTA124EE3HZGTLCT Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor QH8MA4TCR 0.9000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QH8MA4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.5W Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V 9 ए, 8 ए 16mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 1MA 15.5nc @ 10v 640pf @ 15v -
RB160M-30TR Rohm Semiconductor RB160M-30TR 0.3900
सराय
 ECAD 789 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
YFZVFHTR20B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr20b 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr20 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 15 वी 19.11 वी 28 ओम
SP8M51HZGTB Rohm Semiconductor SP8M51HZGTB 1.6600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SP8M51 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 एन rur पी-चैनल 100V 3 ए (टीए), 2.5 टीए (टीए () 170MOHM @ 3A, 10V, 290MOHM @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1MA 8.5nc @ 5v, 12.5nc @ 5v 610pf @ 25v, 1550pf @ 25v -
QS8J5TR Rohm Semiconductor Qs8j5tr 1.6000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QS8J5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 600MW Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 5 ए 39MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 1MA 19NC @ 10V 1100pf @ 10v सराय -स
RB706WM-40TL Rohm Semiconductor RB706WM-40TL 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB706 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सवार @ ३० वी 125 ° C
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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