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ONSEMI BS170

BS170 एक MOSFET है जो उच्च गति और कम-वोल्टेज संचालन के लिए अनुकूलित है। यह एनालॉग और डिजिटल सिग्नल स्विचिंग के लिए उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है।

OnSemi BS170 की सुविधाएँ

• कम आरडी (ऑन) के लिए उच्च घनत्व सेल डिजाइन

• वोल्टेज नियंत्रित छोटे सिग्नल स्विच

• बीहड़ और विश्वसनीय

• उच्च संतृप्ति वर्तमान क्षमता

• ये pb frey मुक्त उपकरण हैं

OnSemi BS170 के अनुप्रयोग

• बहुमुखी और विश्वसनीय: BS170 किसी भी कार्य के लिए उपयुक्त है जिसे उच्च गति और कम-वोल्टेज संचालन के साथ एक छोटे सिग्नल MOSFET की आवश्यकता होती है। यह आपकी आवश्यकताओं के लिए आवश्यक है, चाहे आप एनालॉग या डिजिटल सर्किट पर काम कर रहे हों।

• सभी अवसरों के लिए महान: यह उपकरण विभिन्न सेटिंग्स में, सरल से जटिल अनुप्रयोगों में उपयोगी है। इसकी बहुमुखी प्रतिभा इसे रोजमर्रा के उपयोग के लिए एकदम सही बनाती है।

• किसी भी कार्य के लिए उपयुक्त: BS170 के उच्च गति और कम-वोल्टेज संचालन इसे एनालॉग और डिजिटल सिग्नल स्विचिंग सहित कई कार्यों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

• रोजमर्रा के उपयोग के लिए एकदम सही: इस उपकरण को विश्वसनीय और बहुमुखी होने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो विभिन्न अनुप्रयोगों में रोजमर्रा के उपयोग के लिए एकदम सही है।

OnSemi BS170 की विशेषताएं

प्रकारविवरण
वर्गअसतत अर्धचालक उत्पाद
ट्रांजिस्टर
FETS, MOSFETS
सिंगल फेट्स, मोसफेट्स
मंचितOnsemi
पैकेजिंगथोक
भाग की स्थितिसक्रिय
भ्रूण प्रकारn- चैनल
तकनीकीमोसफेट (धातु ऑक्साइड)
स्रोत वोल्टेज (VDSS) के लिए नाली60 वी
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस500ma (TA)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर)10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस5OHM @ 200ma, 10v
Vgs (th) (अधिकतम) @ id3V @ 1MA
वीजीएस (अधिकतम)± 20 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds40 पीएफ @ 10 वी
शक्ति अपव्यय830MW (TA)
परिचालन तापमान-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारहोल के माध्यम से
आपूर्तिकर्ता युक्ति पैकेजसे 92-3
पैकेज / मामलाTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
आधार उत्पाद संख्याBS170

OnSemi BS170 का डेटशीट

Onsemi BS170’s Datasheet.png

OnSemi BS170 की श्रेणी - MOSFETS

MOSFET (धातु - ऑक्साइड - सेमीकंडक्टर फील्ड - EFFect Transistor) एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग स्विचिंग उद्देश्यों और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में इलेक्ट्रॉनिक संकेतों के प्रवर्धन के लिए व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। MOSFETS के बहुत छोटे आकार के कारण, वे या तो कोर या एक एकीकृत सर्किट हो सकते हैं और इसे एक चिप में डिज़ाइन और निर्मित किया जा सकता है। MOSFET उपकरणों की शुरूआत ने इलेक्ट्रॉनिक स्विचिंग के क्षेत्र में बदलाव लाए हैं।

MOSFETS के प्रकार

मुख्यधारा के MOSFETS को मुख्य रूप से चार श्रेणियों में विभाजित किया गया है: प्लानर पावर MOSFETS, ट्रेंच पावर MOSFETS, सुपर - जंक्शन पावर MOSFETS, और परिरक्षित - गेट पावर MOSFETS (SGT)।
(1) प्लानर पावर MOSFETS: वे 1970 के दशक में उभरे। वे ड्राइव करना आसान है और एक उच्च परिचालन आवृत्ति है, लेकिन चिप क्षेत्र अपेक्षाकृत बड़ा है और नुकसान उच्च हैं।
(२) ट्रेंच पावर MOSFETS: वे 1980 के दशक में बाहर आए। वे ड्राइव करने में आसान हैं, एक उच्च ऑपरेटिंग आवृत्ति, अच्छी थर्मल स्थिरता और कम नुकसान है, लेकिन वोल्टेज प्रतिरोध कम है।
(३) सुपर - जंक्शन पावर MOSFETS: वे १ ९९ ० के दशक में दिखाई दिए। वे ड्राइव करने में आसान हैं, एक अल्ट्रा - उच्च आवृत्ति, और बेहद कम नुकसान है। वे बिजली उपकरणों की नवीनतम पीढ़ी हैं।
(४) शील्डेड - गेट पावर मोसफेट्स (एसजीटी): वे २१ वीं सदी में उभरे। वे सिलिकॉन की सीमा को तोड़ते हैं और उपकरणों के प्रतिरोध और स्विचिंग लॉस ऑन को बहुत कम करते हैं।

MOSFETS के सामान्य अनुप्रयोग

(1) मुख्य अनुप्रयोग क्षेत्रों में से एक: चार्जिंग पाइल्स
चार्जिंग पाइल्स को चीन में सात "नए बुनियादी ढांचे" क्षेत्रों में से एक के रूप में सूचीबद्ध किया गया है। सार्वजनिक चार्जिंग पाइलें सार्वजनिक -सेवा प्रकृति जैसे सरकारी एजेंसियों के साथ संस्थानों द्वारा स्थापित की जाती हैं, और सेवा वस्तुएं सभी इलेक्ट्रिक वाहन मालिक हैं। 2015 से 2019 तक, चीन में सार्वजनिक चार्जिंग ढेर की संख्या 58,000 से बढ़कर 516,000 हो गई, जिसमें 72.9%की वार्षिक वृद्धि दर के साथ।
(२) मुख्य अनुप्रयोग क्षेत्रों में से एक: ५ जी बेस स्टेशन
5 जी बेस स्टेशनों के निर्माण पैमाने के बारे में, 2021 चाइना एकेडमी ऑफ इंफॉर्मेशन एंड कम्युनिकेशंस टेक्नोलॉजी (CAICT) ICT + IN - डेप्थ ऑब्जर्वेशन रिपोर्ट कॉन्फ्रेंस में 15 दिसंबर, 2020 को उद्योग और सूचना प्रौद्योगिकी मंत्रालय के एक प्रवक्ता ने बताया कि चीन ने 718,000 5G बेस स्टेशनों का निर्माण किया है और 330,000 5G बेस स्टेशनों को बढ़ावा दिया है।
(३) मुख्य अनुप्रयोग क्षेत्रों में से एक: मोटर वाहन - ग्रेड अनुप्रयोग
ऊर्जा रूपांतरण और ट्रांसमिशन प्राप्त करने के लिए, मोटर कंट्रोल सिस्टम, डीसी/डीसी मॉड्यूल, उच्च - वोल्टेज सहायक ड्राइव, ऑन - बोर्ड चार्जिंग सिस्टम (ओबीसी), और पावर मैनेजमेंट आईसीएस जैसे नए घटक नए ऊर्जा वाहनों में जोड़े गए हैं, और उनमें पावर सेमीकंडक्टर्स की सामग्री बहुत बढ़ गई है। अर्धचालक प्रकारों के संदर्भ में, ऑटोमोटिव सेमीकंडक्टर्स को मोटे तौर पर पावर सेमीकंडक्टर्स (जैसे कि IGBTS और MOSFET), MCUs, सेंसर और अन्य घटकों में विभाजित किया जा सकता है।

BS170 के निर्माता - ONSEMI

ONSEMI ऊर्जा कुशल नवाचारों को चला रहा है, ग्राहकों को वैश्विक ऊर्जा उपयोग को कम करने के लिए सशक्त बना रहा है। कंपनी ऊर्जा कुशल शक्ति और सिग्नल प्रबंधन, तर्क, असतत और कस्टम समाधानों का एक व्यापक पोर्टफोलियो प्रदान करती है ताकि डिजाइन इंजीनियरों को ऑटोमोटिव, संचार, कंप्यूटिंग, उपभोक्ता, औद्योगिक, एलईडी प्रकाश, चिकित्सा, सैन्य/एयरोस्पेस और बिजली आपूर्ति अनुप्रयोगों में अपनी अद्वितीय डिजाइन चुनौतियों को हल करने में मदद मिल सके। OnSemi एक उत्तरदायी, विश्वसनीय, विश्व स्तरीय आपूर्ति श्रृंखला और गुणवत्ता कार्यक्रम, और पूरे उत्तरी अमेरिका, यूरोप और एशिया प्रशांत क्षेत्रों में प्रमुख बाजारों में विनिर्माण सुविधाओं, बिक्री कार्यालयों और डिजाइन केंद्रों का एक नेटवर्क संचालित करता है।

Sic के हॉट-सेलिंग उत्पाद

    Max1093bceg+                             Max1396etb+t                       DS1809U-100/T & R                             MAX167CENG                               AD7788ARM-REEL              

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उत्पाद की जानकारी से हैSic इलेक्ट्रॉनिक्स लिमिटेड। यदि आप उत्पाद में रुचि रखते हैं या उत्पाद मापदंडों की आवश्यकता होती है, तो आप किसी भी समय हमसे ऑनलाइन संपर्क कर सकते हैं या हमें एक ईमेल भेज सकते हैं: sales@sic-commonents.com।

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  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम