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MMBF170LT1G

यह SOT - 23 पैकेज में एक n - n -चैनल MOSFET के बारे में है। यह 500 एमए करंट को संभाल सकता है और इसमें 60 वी की वोल्टेज रेटिंग है। भाग संख्या MMBF170L और NVBF170L हैं। प्रमुख विशेषताओं में NVBF उपसर्ग शामिल है जो ऑटोमोटिव और अन्य अनुप्रयोगों के लिए अद्वितीय साइट और नियंत्रण परिवर्तन आवश्यकताओं के लिए है, AEC - Q101 योग्य और PPAP सक्षम है। इसके अलावा, ये डिवाइस लीड-फ्री और आरओएचएस-अनुरूप हैं।

OnSemi MMBF170LT1G के अनुप्रयोग

· एम्पलीफायर सर्किट: अपने उच्च इनपुट प्रतिबाधा के कारण एम्पलीफायर सर्किट में उपयोग के लिए आदर्श।

· स्विच एप्लिकेशन: कम रिसाव वर्तमान की आवश्यकता वाले स्विच एप्लिकेशन के लिए उपयुक्त।

· वोल्टेज-नियंत्रित प्रतिरोध: विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक सर्किटों में वोल्टेज-नियंत्रित प्रतिरोधों के रूप में कार्य कर सकते हैं।

कार्यक्षमता

MMBF170LT1G उच्च इनपुट प्रतिबाधा और कम रिसाव वर्तमान के साथ एक एन-चैनल JFET ट्रांजिस्टर है, जो इसे एम्पलीफायर सर्किट, स्विच एप्लिकेशन और वोल्टेज-नियंत्रित प्रतिरोधों के लिए बहुमुखी बनाता है।

उपयोग मार्गदर्शिका

· गेट (जी): इनपुट सिग्नल या कंट्रोल वोल्टेज से कनेक्ट करें।

· नाली (डी): आउटपुट या लोड से कनेक्ट करें।

· स्रोत (ओं): संदर्भ या जमीन से कनेक्ट करें।

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OnSemi MMBF170LT1G की विशेषताएं

प्रकारविवरण
वर्गअसतत अर्धचालक उत्पाद
ट्रांजिस्टर
FETS, MOSFETS
सिंगल फेट्स, मोसफेट्स
मंचितOnsemi
पैकेजिंगटेप और रील (टीआर)
कट टेप (सीटी)
भाग की स्थितिसक्रिय
भ्रूण प्रकारn- चैनल
तकनीकीमोसफेट (धातु ऑक्साइड)
स्रोत वोल्टेज (VDSS) के लिए नाली60 वी
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस500ma (TA)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर)10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस5OHM @ 200ma, 10v
Vgs (th) (अधिकतम) @ id3V @ 1MA
वीजीएस (अधिकतम)± 20 वी
इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds60 पीएफ @ 10 वी
शक्ति अपव्यय225MW (TA)
परिचालन तापमान-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारसतह पर्वत
आपूर्तिकर्ता युक्ति पैकेजSOT-23-3 (to-236)
पैकेज / मामलाTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आधार उत्पाद संख्याMMBF170

OnSemi MMBF170LT1G का डेटशीट

ONSemi MMBF170LT1G's Datasheet.png

OnSemi MMBF170LT1G की श्रेणी-fets, MOSFETS

मेटल - ऑक्साइड - सेमीकंडक्टर फील्ड - इफेक्ट ट्रांजिस्टर (शॉर्ट के लिए MOSFETS) एक प्रकार का अर्धचालक है जो आमतौर पर डिजिटल और एनालॉग दोनों सर्किट दोनों में उपयोग किया जाता है, और वे उपयोगी बिजली उपकरण भी हैं। एक मूल कॉम्पैक्ट ट्रांजिस्टर के रूप में, MOSFETs विद्युत अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त हैं।

यह लंबे समय से व्यापक रूप से माना जाता है कि 21 वीं सदी में कई तकनीकी प्रगति MOSFETS के बिना संभव नहीं होती। MOSFETs द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (BJTs) की तुलना में अधिक व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं क्योंकि उन्हें लोड करंट के लिए बहुत कम नियंत्रण वर्तमान की आवश्यकता होती है। एक एन्हांसमेंट-मोड MOSFET की चालकता को "सामान्य रूप से बंद" स्थिति में बढ़ाया जा सकता है। गेट के माध्यम से लागू वोल्टेज "सामान्य रूप से" राज्य में चालकता को कम कर सकता है। MOSFETs की लघुकरण प्रक्रिया अपेक्षाकृत सरल है, और उन्हें कॉम्पैक्ट अनुप्रयोगों के लिए आकार में प्रभावी रूप से कम किया जा सकता है।


MOSFET के अन्य लाभों में तेजी से स्विचिंग (विशेष रूप से डिजिटल सिग्नल के लिए), न्यूनतम बिजली की खपत और उच्च घनत्व वाली समाई शामिल हैं, जो इसे बड़े पैमाने पर एकीकरण के लिए एक आदर्श विकल्प बनाते हैं।


MOSFETS एकीकृत सर्किट के मुख्य घटक हैं। उनके लघुकरण के लिए धन्यवाद, उन्हें एक ही चिप में डिजाइन और निर्मित किया जा सकता है। एक एकीकृत सर्किट चिप पर MOSFETS चार - टर्मिनल तत्व हैं, अर्थात् स्रोत (ओं), गेट (जी), नाली (डी), और शरीर (बी)। शरीर आमतौर पर स्रोत से जुड़ा होता है, जो MOSFET को एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के रूप में कार्य करने में सक्षम बनाता है। मुख्य रूप से दो प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं। एक द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (BJT) है, और दूसरा क्षेत्र - प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) है। MOSFETS फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर प्रकार से संबंधित हैं। BJTs आमतौर पर 1 एम्पीयर से नीचे की धाराओं के लिए उपयोग किए जाते हैं; MOSFETs आमतौर पर बड़ी धाराओं वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किए जाते हैं।


दो प्रकार के MOSFETs हैं: घटाव - मोड और वृद्धि - मोड। घटाव-मोड MOSFET एक बंद स्विच की तरह काम करता है। एक सकारात्मक वोल्टेज एक ऑपरेटिंग करंट उत्पन्न करता है, और एक नकारात्मक वोल्टेज ऑपरेटिंग करंट को रोकता है। एन्हांसमेंट मोड MOSFET एक प्रकार है जिसका उपयोग आमतौर पर आधुनिक अनुप्रयोगों में किया जाता है। जैसा कि पहले उल्लेख किया गया है, एक MOSFET एक उपकरण है जिसका उपयोग विद्युत संकेतों को स्विच करने या बढ़ाने के लिए किया जाता है। इन्हें चालकता को बदलकर प्राप्त किया जा सकता है, जिसे लागू वोल्टेज को अलग करके बदला जा सकता है।


MOSFETs डिजिटल सर्किट में सबसे अधिक इस्तेमाल किए जाने वाले ट्रांजिस्टर हैं और मेमोरी चिप्स या माइक्रोप्रोसेसर में मिलियन-स्तरीय एकीकरण प्राप्त कर सकते हैं। इसके अलावा, MOSFET ट्रांजिस्टर को आमतौर पर वोल्टेज-नियंत्रित सर्किट में स्विच के रूप में उपयोग किया जाता है। यह माना जाता है कि MOSFETS के उद्भव ने तकनीकी उपकरणों की एक श्रृंखला के विकास में योगदान दिया है, जैसे कि पॉकेट कैलकुलेटर और डिजिटल कलाई घड़ी।

MMBF170LT1G का निर्माता - ONSEMI

ONSEMI ऊर्जा-कुशल नवाचारों को चला रहा है, ग्राहकों को वैश्विक ऊर्जा उपयोग को कम करने के लिए सशक्त बना रहा है। कंपनी ऊर्जा-कुशल शक्ति और सिग्नल प्रबंधन, तर्क, असतत और कस्टम समाधानों का एक व्यापक पोर्टफोलियो प्रदान करती है ताकि डिजाइन इंजीनियरों को ऑटोमोटिव, संचार, कंप्यूटिंग, उपभोक्ता, औद्योगिक, एलईडी प्रकाश, चिकित्सा, सैन्य/एयरोस्पेस और बिजली की आपूर्ति अनुप्रयोगों में अपनी अद्वितीय डिजाइन चुनौतियों को हल करने में मदद मिल सके। OnSemi एक उत्तरदायी, विश्वसनीय, विश्व स्तरीय आपूर्ति श्रृंखला और गुणवत्ता कार्यक्रम, और पूरे उत्तरी अमेरिका, यूरोप और एशिया प्रशांत क्षेत्रों में प्रमुख बाजारों में विनिर्माण सुविधाओं, बिक्री कार्यालयों और डिजाइन केंद्रों का एक नेटवर्क संचालित करता है।

Sic के हॉट-सेलिंग उत्पाद

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उत्पाद की जानकारी से हैSic इलेक्ट्रॉनिक्स लिमिटेड। यदि आप उत्पाद में रुचि रखते हैं या उत्पाद मापदंडों की आवश्यकता होती है, तो आप किसी भी समय हमसे ऑनलाइन संपर्क कर सकते हैं या हमें एक ईमेल भेज सकते हैं: sales@sic-commonents.com।

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BS170 एक MOSFET है जो उच्च गति और कम-वोल्टेज संचालन के लिए अनुकूलित है। यह एनालॉग और डिजिटल सिग्नल स्विचिंग के लिए उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है। ...
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम