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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
7006L55J8 Renesas Electronics America Inc 7006L55J8 -
सराय
 ECAD 8135 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) 7006L55 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 250 सराय 128kbit 55 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी 55NS
IS46TR81280C-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280C-125JBLA25 -
सराय
 ECAD 6275 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 115 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR81280C-125JBLA25 Ear99 8542.32.0032 136 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS26KL256S-DABLA100 Infineon Technologies IS26KL256S-DABLA100 -
सराय
 ECAD 8656 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-वीबीजीए तमाम 2.7V ~ 3.6V 24-((6x8) - 1 100 सराय सराय 256Mbit 96 एनएस चमक 32 सिया x 8 तमाम -
S25HS02GTDZBHB050 Infineon Technologies S25HS02GTDZBHB050 38.0625
सराय
 ECAD 2178 0.00000000 इंफीनन टेक किलोमीटर शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 24-((8x8) - 3A991B1A 8542.32.0071 260 १३३ सराय सराय 2 जीबिट 6 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi 1.7ms
AT24C64D-XHM-B Microchip Technology AT24C64D-XHM-B 0.4400
सराय
 ECAD 9218 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) AT24C64D ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम AT24C64DXHMB Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 64kbit 550 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 5ms
S25FL132K0XNFI013 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XNFI013 1.0900
सराय
 ECAD 2004 0.00000000 Rayr सेमीकंडक FL1-k R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FL132 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 2832-S25FL132K0XNFI013-TR 3A991B1A 8542.32.0071 230 108 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 3ms
GS8662D36BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662D36BGD-350I 146.0353
सराय
 ECAD 7993 0.00000000 जीएसआई टेक टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) सतह rurcur 165-LBGA GS8662D Sram - कthama theircut 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2364-GS8662D36BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 ३५० सराय सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS25WP128F-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp128f-jkle-tr 1.9251
सराय
 ECAD 6852 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25WP128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS43TR81024B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBL-TR 19.0323
सराय
 ECAD 9295 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR81024B-125KBL-TR 2,000 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
CY62147DV30LL-55BVI Cypress Semiconductor Corp CY62147DV30LL-55BVI 4.3400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL® थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62147 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
N01L63W3AB25I onsemi N01L63W3AB25I -
सराय
 ECAD 9586 0.00000000 Onsemi - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA N01L63 Sram - एसिंकthirोनस 2.3V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 480 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 55NS
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AAT: J -
सराय
 ECAD 9088 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 12NS
BU963AV-C ProLabs Bu963av-c 17.5000
सराय
 ECAD 9755 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-BU963AV-C Ear99 8473.30.5100 1
CAT25128XID onsemi Cat25128xid -
सराय
 ECAD 4328 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) CAT25128 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक - 3 (168 घंटे) तमाम 488-CAT25128XID शिर 100 10 सराय सराय 128kbit ईपॉम 16K x 8 एसपीआई 5ms
R1LP0408CSC-7LC#D0 Renesas Electronics America Inc R1LP0408CSC-7LC#D0 15.3100
सराय
 ECAD 129 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991 8542.32.0041 1
CY7C09269V-12AXC Infineon Technologies CY7C09269V-12AXC 23.4600
सराय
 ECAD 717 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C09269 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 90 ५० सभा सराय 256kbit 12 एनएस शिर 16K x 16 तपस्वी -
70T3519S200BC8 Renesas Electronics America Inc 70T3519S200BC8 333.7662
सराय
 ECAD 4126 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 256-एलबीजीए 70T3519 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 2.4V ~ 2.6V २५६-ओना (११ X17) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 २०० सराय सराय 9mbit 3.4 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
7134LA45J8 Renesas Electronics America Inc 7134LA45J8 -
सराय
 ECAD 6516 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 7134LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 400 सराय 32kbit 45 एनएस शिर 4K x 8 तपस्वी 45NS
25AA040A-I/MS Microchip Technology 25AA040A-I/MS 0.6300
सराय
 ECAD 7002 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 25AA040 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 10 सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8 एसपीआई 5ms
IS25CD512-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JNLE-TRE -
सराय
 ECAD 9672 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25CD512 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 एसपीआई 5ms
CY7C09389V-6AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C09389V-6AXC 48.1900
सराय
 ECAD 121 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C09389 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2A 8542.32.0041 90 100 सराय सराय 1.152MBIT 6.5 एनएस शिर 64K x 18 तपस्वी - तमाम नहीं है
CY62177GE30-55ZXI Infineon Technologies CY62177GE30-55ZXI 62.5625
सराय
 ECAD 6565 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 32Mbit 55 एनएस शिर 2 सींग x 16 तपस्वी 55NS
S25FL256SAGBHEA00 Infineon Technologies S25FL256SAGBHEA00 52.9025
सराय
 ECAD 6303 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस शिर शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,380 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
AT93C56B-SSPD-T Microchip Technology AT93C56B-SSPD-T -
सराय
 ECAD 5530 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93C56B ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 1 सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8, 128 x 16 3 नताया 5ms
CY7C1360S-166BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1360S-166BZC 11.9600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1360 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 165-((13x15) - 26 १६६ सराय सराय 9mbit 3.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
MT29F256G08CJAABWP-12:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12: A TR -
सराय
 ECAD 8779 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
N25Q064A11ESF40G Micron Technology Inc. N25Q064A11ESF40G -
सराय
 ECAD 9489 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q064A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT: B TR 55.3050
सराय
 ECAD 8025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR 2,500 ४.२६६ तंग सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 तपस्वी -
TC58BVG1S3HTAI0 Kioxia America, Inc. TC58BVG1S3HTAI0 -
सराय
 ECAD 9391 0.00000000 कनपरा बेनेंड ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) TC58BVG1 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991A2 8542.32.0071 96 सराय 2 जीबिट 25 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
BR24H256NUX-5ACTR Rohm Semiconductor BR24H256NUX-5ACTR 1.1300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran BR24H256 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V VSON008X2030 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BR24H256NUX-5ACTR Ear99 8542.32.0051 4,000 1 सराय सराय 256kbit ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 3.5ms
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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