SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
71321SA55PFI8 Renesas Electronics America Inc 71321SA55PFI8 -
सराय
ECAD 1610 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 71321SA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 750 सराय 16kbit 55 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 55NS
CG8120AAT Infineon Technologies CG8120AAT -
सराय
ECAD 2019 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 500
71V65903S80BQ Renesas Electronics America Inc 71V65903S80BQ 26.1188
सराय
ECAD 7461 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए 71V65903 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 136 सराय 9mbit 8 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
70261L12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70261L12PFI8 -
सराय
ECAD 1490 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) - 800-70261L12PFI8TR 1 सराय 256kbit 12 एनएस शिर 16K x 16 तपस्वी 12NS
FT93C66A-IDR-B Fremont Micro Devices Ltd FT93C66A-IDR-B -
सराय
ECAD 8809 0.00000000 Fremont vapakirो kanaute लिमिटेड - नली Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 93C66A ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 3 नताया 10ms
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT: G 2.0207
सराय
ECAD 1833 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-UDFN MT29F2G01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 8-UPDFN (8x6) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -MT29F2G01ABBGDWB-IT: GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
SST26VF020A-80E/SN Microchip Technology SST26VF020A-80E/SN 1.1700
सराय
ECAD 550 0.00000000 तमाम SST26 SQI® नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SST26VF020 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 150-SST26VF020A-80E/SN 3A991B1A 8542.32.0051 100 80 सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 1.5ms
CG7844AA Infineon Technologies CG7844AA -
सराय
ECAD 6704 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर - सराय तमाम शिर 0000.00.0000 1
N25Q064A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11EF640F TR -
सराय
ECAD 6243 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q064A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-((6x5) (एमएलपी 8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
AT24C08D-XHM-T Microchip Technology AT24C08D-XHM-T 0.3000
सराय
ECAD 4927 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) AT24C08 ईपॉम 1.7V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 1 सराय सराय 8kbit 4.5 µs ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 5ms
MT40A256M16GE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E: B TR -
सराय
ECAD 9247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT40A256M16GE-083E: BTR शिर 2,000 1.2 GHz सराय 4 जीबिट 19 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
MR2A08ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A08ACMA35 31.8100
सराय
ECAD 1 0.00000000 Rayrauth टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA MR2A08 Mram (t मैगthurrauntuth riैम) 3V ~ 3.6V 48-‘(8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 819-1034 Ear99 8542.32.0071 348 सराय 4Mbit 35 एनएस तमाम 512K x 8 तपस्वी 35NS
MT47H128M4SH-25E:H Micron Technology Inc. MT47H128M4SH-25E: H -
सराय
ECAD 5908 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,518 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT55L256V36PT-6 Micron Technology Inc. MT55L256V36PT-6 8.2400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम ZBT® थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 १६६ सराय सराय 8mbit 3.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
AT25SF321B-SHB-B Adesto Technologies AT25SF321B-SHB-B 0.4673
सराय
ECAD 9574 0.00000000 एडेसmuth टेक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) AT25SF321 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1265-AT25SF321B-SHB-B 3A991B1A 8542.32.0071 90 108 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 3ms
CY62146CV30LL-70BAI Cypress Semiconductor Corp CY62146CV30LL-70BAI 2.1200
सराय
ECAD 89 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL2 ™ थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA CY62146 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.3V 48-‘(7x8.5) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 70 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 70NS
AT17LV65-10NC Microchip Technology AT17LV65-10NC -
सराय
ECAD 7334 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT17LV65 तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 तमाम 64kb
CY7C1347B-166BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1347B-166BGC 4.6100
सराय
ECAD 388 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए CY7C1347 SRAM - PANRA, THER 3.15V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 १६६ सराय सराय 4.5mbit 3.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
S-24C04DI-J8T1U5 ABLIC Inc. S-24C04DI-J8T1U5 0.2641
सराय
ECAD 1926 0.00000000 एब एब इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) S-24C04 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0051 4,000 1 सराय सराय 4kbit 500 एनएस ईपॉम 512 x 8 मैं एसी 5ms
7132LA35FB Renesas Electronics America Inc 7132LA35FB -
सराय
ECAD 2265 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-फ 7132LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 48-फैक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 9 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES: D TR -
सराय
ECAD 8058 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 - -
CY7C1444KV33-250AXC Infineon Technologies CY7C1444KV3333-250AXC 64.6800
सराय
ECAD 7211 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1444 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २५० तंग सराय 36mbit 2.6 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IDT71V3577SA80BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V3577SA80BQI -
सराय
ECAD 5666 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V3577 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V3577SA80BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 सराय 4.5mbit 8 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
71V3578Y5S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578Y5S133PFG -
सराय
ECAD 4063 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 71V3578 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 4.5mbit 4.2 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
सराय
ECAD 7104 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
S26361-F4026-L608-C ProLabs S26361-F4026-L608-C 145.0000
सराय
ECAD 5606 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-S26361-F4026-L608-C Ear99 8473.30.5100 1
MT29F1T08EBLCHD4-T:C TR Micron Technology Inc. Mt29f1t08eblchd4-t: c tr 20.9850
सराय
ECAD 6343 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F1T08EBLCHD4-T: CTR 2,000
CAT24C16YI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C16YI-GT3 -
सराय
ECAD 6725 0.00000000 उतthurेirेirक r अrachaphay इंक। - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) CAT24C16 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Ear99 8542.32.0051 1 400 kHz सराय 16kbit 900 एनएस ईपॉम 2k x 8 मैं एसी 5ms
70V3379S6BC8 Renesas Electronics America Inc 70V3379S6BC8 96.1586
सराय
ECAD 1114 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 256-एलबीजीए 70V3379 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V २५६-ओना (११ X17) तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 576kbit 6 एनएस शिर 32K x 18 तपस्वी -
S25FL208K0RMFI040 Nexperia USA Inc. S25FL208K0RMFI040 0.2900
सराय
ECAD 8960 0.00000000 अफ़संद - थोक शिर - 2156-S25FL208K0RMFI040 99
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम