SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MX25U4033EM1I-12G Macronix MX25U4033EM1I-12G 0.4567
सराय
ECAD 8226 0.00000000 तिहाई Mxsmio ™ नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) MX25U4033 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 98 80 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 30s, 3ms
7015S20J8 Renesas Electronics America Inc 7015S20J8 -
सराय
ECAD 8094 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) 7015S20 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 250 सराय 72kbit 20 एनएस शिर 8K x 9 तपस्वी 20NS
IS62WV25616EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45TLI-TR 2.6470
सराय
ECAD 8529 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E IT: G 8.5000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,560 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 14NS
UCS-MR-2X041RX-C-C ProLabs UCS-MR-2X041RX-CC 75.0000
सराय
ECAD 6873 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-UCS-MR-2X041RX-CC Ear99 8473.30.5100 1
MX25R1635FZNIH0 Macronix MX25R1635FZNIH0 0.8400
सराय
ECAD 15 0.00000000 तिहाई Mxsmio ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MX25R1635 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1092-1216 Ear99 8542.32.0071 570 80 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 100s, 4ms
93C66BT-E/ST Microchip Technology 93C66BT-E/ST 0.5100
सराय
ECAD 7124 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 93C66B ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93C66BT-E/ST-NDR Ear99 8542.32.0051 2,500 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 256 x 16 अफ़सस 2ms
IS43TR16640BL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL-TR -
सराय
ECAD 2825 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
25LC160C-I/SN Microchip Technology 25LC160C-I/SN 0.7200
सराय
ECAD 7141 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 25LC160 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 25LC160CISN Ear99 8542.32.0051 100 10 सराय सराय 16kbit ईपॉम 2k x 8 एसपीआई 5ms
AT28BV64-25TI Microchip Technology AT28BV64-25TI -
सराय
ECAD 7746 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT28BV64 ईपॉम 2.7V ~ 3.6V 28-टॉप - रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT28BV6425TI Ear99 8542.32.0051 234 सराय 64kbit 250 एनएस ईपॉम 8K x 8 तपस्वी 3ms
AT24C64AN-10SI-1.8-T Microchip Technology AT24C64AN-10SI-1.8-T -
सराय
ECAD 4888 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT24C64 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz सराय 64kbit 900 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 5ms
MT48H4M32LFB5-75 IT:K Micron Technology Inc. MT48H4M32LFB5-75 IT: K -
सराय
ECAD 3836 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
HN27C256AG15 Renesas Electronics America Inc HN27C256AG15 9.6900
सराय
ECAD 250 0.00000000 रेनसस अयस्करस - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-CDIP (0.600 ", 15.24 विंडो) विंडो HN27C EPROM - UV 4.5V ~ 5.5V 28-सीडीआईपी तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0061 1 सराय 256kbit 150 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी
W25Q16JWUUIQ Winbond Electronics W25Q16JWUIQ -
सराय
ECAD 2708 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran W25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q16JWUIQ Ear99 8542.32.0071 1 १३३ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 3ms
MT41K512M16TNA-107:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-107: ई -
सराय
ECAD 8581 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((10x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
CY7C1041BV33-15VI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041BV3333-15VI 5.5300
सराय
ECAD 1 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) CY7C1041 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-SOJ तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 15 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 15NS
IS65WV12816BLL-55TA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TA3 -
सराय
ECAD 9367 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS65WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
AT29C020-10TC Microchip Technology AT29C020-10TC -
सराय
ECAD 9746 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT29C020 चमक 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 सराय 2mbit 100 एनएस चमक 256K x 8 तपस्वी 10ms
S34ML04G100TFV000Z Spansion S34ML04G100TFV000Z 7.1200
सराय
ECAD 63 0.00000000 तमाम * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 1
MT58V512V36FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FF-7.5 18.7900
सराय
ECAD 42 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए SRAM - SANANY 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 18mbit शिर 512K x 36 तपस्वी -
MX25UM51345GBEI00 Macronix MX25UM51345GBEI00 6.6664
सराय
ECAD 1482 0.00000000 तिहाई Mxsmio ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 68-XFBGA, WLCSP MX25UM51345 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 68-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 60 के दशक, 750 एस
AT28C010-12PC Microchip Technology AT28C010-12PC -
सराय
ECAD 4997 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 32-डिप (0.600 ", 15.24 मिमी) AT28C010 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 32-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम AT28C01012PC Ear99 8542.32.0051 12 सराय 1mbit 120 एनएस ईपॉम 128K x 8 तपस्वी 10ms
AS4C256M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-12BCN -
सराय
ECAD 9442 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA AS4C256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((13.5x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 180 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
MR25H40MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40MDFR 30.6750
सराय
ECAD 6246 0.00000000 Rayrauth टेक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar MR25H40 Mram (t मैगthurrauntuth riैम) 3V ~ 3.6V 8-dfn-ep, vana ktum (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 40 सराय सराय 4Mbit तमाम 512K x 8 एसपीआई -
IDT71V416VL12BE8 Renesas Electronics America Inc IDT71V416VL12BE8 -
सराय
ECAD 9482 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IDT71V416 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 48-सेना (9x9) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V416VL12BE8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
AT45D021-RC Microchip Technology AT45D021-RC -
सराय
ECAD 9997 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 28-SHIC (0.342 ", 8.69 मिमी antake) AT45D021 चमक 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम AT45D021RC Ear99 8542.32.0071 26 10 सराय सराय 2mbit चमक २६४ सभ्य एसपीआई 14ms
CG8264AAT Infineon Technologies CG8264AAT -
सराय
ECAD 5425 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1
IS65WV102416BLL-25MA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416BLL-25MA3 -
सराय
ECAD 4737 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS65WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS65WV102416BLL-25MA3 शिर 210 सराय 16Mbit 25 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 25NS
S28HS01GTGZBHI033 Infineon Technologies S28HS01GTGZBHI03333 20.3350
सराय
ECAD 4856 0.00000000 इंफीनन टेक किलोमीटर R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-वीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 24-((8x8) - 2,500 २०० सराय सराय 1gbit 5.45 एनएस चमक 128 वायर x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 1.7ms
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. Mt29f1g08abbeamd-it: e tr -
सराय
ECAD 9312 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम