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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
PC28F640J3F75B TR Micron Technology Inc. PC28F640J3F75B TR -
सराय
 ECAD 7036 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 सराय 64mbit 75 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 75NS
S99JL032J0080 Infineon Technologies S99JL032J0080 -
सराय
 ECAD 3074 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - रोहस 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1
AT24C1024BN-SH25-T Microchip Technology AT24C1024BN-SH25-T -
सराय
 ECAD 4008 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT24C1024 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 1 सराय सराय 1mbit 550 एनएस ईपॉम 128K x 8 मैं एसी 5ms
M29F400BT90N1 Micron Technology Inc. M29F400BT90N1 -
सराय
 ECAD 4956 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 90NS
AT24CS08-MAHM-T Microchip Technology AT24CS08-MAHM-T 0.4050
सराय
 ECAD 3025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran AT24CS08 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 1 सराय सराय 8kbit 550 एनएस ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 5ms
7025L30J Renesas Electronics America Inc 7025L30J -
सराय
 ECAD 2295 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-जे (जे-लीड) 7025L30 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 84-PLCC (29.31x29.31) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 15 सराय 128kbit 30 एनएस शिर 8K x 16 तपस्वी 30ns
IDT7164S20TP Renesas Electronics America Inc IDT7164S20TP -
सराय
 ECAD 7677 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) IDT7164 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 28-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 7164S20TP Ear99 8542.32.0041 28 सराय 64kbit 20 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 20NS
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 यह -
सराय
 ECAD 8648 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W8MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit 70 एनएस तड़प 8 सिया x 16 तपस्वी 70NS
AT24C08A-10PI-2.7 Microchip Technology AT24C08A-10PI-2.7 -
सराय
 ECAD 2971 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT24C08 ईपॉम 2.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम AT24C08A10PI2.7 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz सराय 8kbit 4.5 µs ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 5ms
IS49NLC36160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-33B -
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC36160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
IDT71V3557SA75BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V3557SA75BQI -
सराय
 ECAD 1407 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V3557 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V3557SA75BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 सराय 4.5mbit 7.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS25LQ040B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JBLE -
सराय
 ECAD 9444 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25LQ040 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1314 Ear99 8542.32.0071 90 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 800 ओएफएस
MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M64D4GN-107 WT: B TR -
सराय
 ECAD 6407 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 256-WFBGA MT52L512 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 256-((14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
IS43LR32400G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32400G-6BL 4.5560
सराय
 ECAD 5853 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32400 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
EPCE16UC88 Intel EPCE16UC88 -
सराय
 ECAD 4643 0.00000000 इंटेल ईपीसी शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 88-LFBGA तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V 88-‘ - 3 (168 घंटे) 973295 शिर 0000.00.0000 105 सिसth -kirोगrasharak में 16 एमबी
M58WR032KB70ZQ6Z Micron Technology Inc. M58WR032KB70ZQ6Z -
सराय
 ECAD 5974 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 88-वीएफबीजीए M58WR032 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 253 ६६ सराय सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
IDT6116LA45SOI Renesas Electronics America Inc IDT6116LA45SOI -
सराय
 ECAD 5528 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) IDT6116 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 24-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 6116LA45SOI Ear99 8542.32.0041 310 सराय 16kbit 45 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 45NS
7143SA90J Renesas Electronics America Inc 7143SA90J -
सराय
 ECAD 5969 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) 7143SA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 18 सराय 32kbit 90 एनएस शिर 2K x 16 तपस्वी 90NS
IDT71V65802S100BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V65802S100BQ8 -
सराय
 ECAD 8134 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V65802 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V65802S100BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 100 सराय सराय 9mbit 5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
W9425G6KH-5 TR Winbond Electronics W9425G6KH-5 TR 1.7996
सराय
 ECAD 5561 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) W9425G6 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit 55 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
70261S55PF Renesas Electronics America Inc 70261S55PF -
सराय
 ECAD 8879 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70261S55 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 45 सराय 256kbit 55 एनएस शिर 16K x 16 तपस्वी 55NS
AT29C010A-12TI Microchip Technology AT29C010A-12TI -
सराय
 ECAD 5295 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT29C010 चमक तमाम नहीं है 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT29C010A12TI Ear99 8542.32.0071 156 सराय 1mbit 120 एनएस चमक 128K x 8 तपस्वी 10ms
CAT93C66YI-G onsemi Cat93c66yi-g -
सराय
 ECAD 5210 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) Cat93c66 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 अफ़सस -
AS7C4096A-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-12JCN 5.0128
सराय
 ECAD 3432 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 36-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) AS7C4096 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1070 3A991B2A 8542.32.0041 19 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 12NS
IS25LD040-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JKLE -
सराय
 ECAD 2107 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25LD040 चमक 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 100 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 5ms
W25R256JWPIQ TR Winbond Electronics W25R256JWPIQ TR 3.1050
सराय
 ECAD 5754 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25R256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25R256JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई -
24LC512T-I/ST16KVAO Microchip Technology 24LC512T-I/ST16KVAO -
सराय
 ECAD 3896 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 24LC512 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग 1 (असीमित) तमाम 3A991B1B2 8542.32.0051 2,500 400 kHz सराय 512kbit 900 एनएस ईपॉम 64K x 8 मैं एसी 5ms
70V24S15PF8 Renesas Electronics America Inc 70V24S15PF8 -
सराय
 ECAD 9982 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70V24S Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 750 सराय 64kbit 15 एनएस शिर 4K x 16 तपस्वी 15NS
S99GL128P0070 Infineon Technologies S99GL128P0070 -
सराय
 ECAD 7843 0.00000000 इंफीनन टेक Gl-p शिर शिर - S99GL128 फmut - rey औ ही ही ही - - रोहस 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1 सराय 128Mbit चमक 8 सिया x 16 तपस्वी -
CAT34C02HU3IGT4A onsemi Cat34c02hu3igt4a -
सराय
 ECAD 9416 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran Cat34c02 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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