SIC
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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
CY7C1069G-10ZSXIT Infineon Technologies CY7C1069G-10ZSXIT 38.5000
सराय
 ECAD 8926 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY7C1069 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 2 सींग x 8 तपस्वी 10NS
MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR 2.9762
सराय
 ECAD 2662 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
S25FS128SDSNFM100 Infineon Technologies S25FS128SDSNFM100 6.3350
सराय
 ECAD 4348 0.00000000 इंफीनन टेक फ़ेस-फ़ेस शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 3A991B1A 8542.32.0071 980 80 सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 2ms
CY62167G-45BVXIT Infineon Technologies CY62167G-45BVXIT 19.2500
सराय
 ECAD 8601 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62167 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 16Mbit 45 एनएस शिर 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 45NS
CY7C1362A-225BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1362A-225BGC 9.8700
सराय
 ECAD 297 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए CY7C1362 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 २२५ सराय सराय 9mbit 2.8 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
71T75602S150BGG8 Renesas Electronics America Inc 71T75602S150BGG8 41.3158
सराय
 ECAD 8327 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) तंग 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए 71T75602 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 2.375V ~ 2.625V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १५० तंग सराय 18mbit 3.8 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
CAT28C64BL90 onsemi CAT28C64BL90 -
सराय
 ECAD 9941 0.00000000 Onsemi - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-DIP (0.600 ", 15.24 मिमी) Cat28c64 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-पीडीआईपी तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 13 सराय 64kbit 90 एनएस ईपॉम 8K x 8 तपस्वी 5ms
W29GL256SL9C Winbond Electronics W29GL256SL9C -
सराय
 ECAD 2529 0.00000000 इलेक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFBGA W29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 56-TFBGA (7x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 171 सराय 256Mbit 90 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 90NS
W25Q128FVEJQ TR Winbond Electronics W25Q128FVEJQ TR -
सराय
 ECAD 2717 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25Q128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम W25Q128FVEJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
CY7C1460AV25-200BZI Infineon Technologies CY7C1460AV25-200BZI -
सराय
 ECAD 2786 0.00000000 इंफीनन टेक Nobl ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1460 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २०० सराय सराय 36mbit 3.2 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
AS4C64M16D3LA-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BIN -
सराय
 ECAD 9984 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-वीएफबीजीए AS4C64 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1371 Ear99 8542.32.0032 209 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
70V09L20PF8 Renesas Electronics America Inc 70V09L20PF8 -
सराय
 ECAD 3650 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70V09L Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 750 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 20NS
25AA010A/S16K Microchip Technology 25AA010A/S16K -
सराय
 ECAD 5483 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी 25AA010 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V शराबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 10 सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8 एसपीआई 5ms
GS816018DGT-333I GSI Technology Inc. GS816018DGT-333I 38.9400
सराय
 ECAD 36 0.00000000 जीएसआई टेक टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) सतह rurcur 100-lqfp GS816018 SRAM - PANRA, SANTAY 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-y (20x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2364-GS816018DGT-333I Ear99 8542.32.0041 36 ३३३ सरायम सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
GD25Q32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSIGR 1.0100
सराय
 ECAD 21 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
25LC040AT-I/OT Microchip Technology 25LC040AT-I/OT 0.5400
सराय
 ECAD 2702 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur एसओटी -23-6 25LC040 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V एसओटी -23-6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 10 सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8 एसपीआई 5ms
CY621472G30-45ZSXAT Infineon Technologies CY621472G30-45ZSXAT 7.5075
सराय
 ECAD 4755 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY621472 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
CY7C1325G-133BGC Infineon Technologies CY7C1325G-133BGC -
सराय
 ECAD 2948 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए CY7C1325 SRAM - PANRA, THER 3.15V ~ 3.6V 119-((14x22) - रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 १३३ सराय सराय 4.5mbit 6.5 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
M24256-DRMF3TG/K STMicroelectronics M24256-DRMF3TG/K 1.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wfdfn ने पैड को को ranahir rana M24256 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 1 सराय सराय 256kbit 450 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 5ms
S29GL064N11TFIV73 Infineon Technologies S29GL064N11TFIV73 -
सराय
 ECAD 6094 0.00000000 इंफीनन टेक जीएल एन R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL064 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64mbit 110 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 110NS
S29GL256S11TFIV10 Infineon Technologies S29GL256S11TFIV10 6.9825
सराय
 ECAD 8826 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 910 सराय 256Mbit 110 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 60NS
IS43LD16640C-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BL-TR -
सराय
 ECAD 6847 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) IS43LD16640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,200 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
GD25Q20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EKIGR 0.3515
सराय
 ECAD 4357 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25Q20EKIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 7 एनएस चमक 256K x 8 सवार 70 और, 2ms
AS4C2M32S-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BCNTR 2.9120
सराय
 ECAD 9239 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग 3 (168 घंटे) 1450-AS4C2M32S-6BCNTR 2,000 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 Lvttl -
S34ML01G200BHI000 Spansion S34ML01G200BHI000 2.8200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम एमएल -2 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए S34ML01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((11x9) तंग 3A991B1A 8542.32.0071 107 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 25NS तमाम नहीं है
CY15B004J-SXET Infineon Technologies CY15B004J-SXET 1.6187
सराय
 ECAD 2370 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, AEC-Q100, F-RAM ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CY15B004 फrigurैम (ther फेruriguthurिक riैम) 3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ३.४ सराय सराय 4kbit शिर 512 x 8 मैं एसी -
MX29LV800CTTI-90G Macronix MX29LV800CTTTTI-90G 1.8348
सराय
 ECAD 5172 0.00000000 तिहाई MX29LV शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MX29LV800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 90NS
W25Q256JVCIM TR Winbond Electronics W25Q256JVCIM TR -
सराय
 ECAD 3854 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 3ms
CY7C1355C-133AXC Infineon Technologies CY7C1355C-133AXC 15.7600
सराय
 ECAD 144 0.00000000 इंफीनन टेक Nobl ™ शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1355 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १३३ सराय सराय 9mbit 6.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43TR16128C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-107MBLI-TR -
सराय
 ECAD 2125 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 2 जीबिट 195 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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