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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
FEMC128GBE-T740 Flexxon Pte Ltd FEMC128GBE-T740 99.1300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 फ लेक पीटीई पीटीई पीटीई XTRA VII शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-FBGA (11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3052-FEMC128GBE-T740 8542.32.0071 1 २०० सराय सराय 1tbit चमक 128g x 8 EMMC_5.1 -
7132LA55J8 Renesas Electronics America Inc 7132LA55J8 -
सराय
 ECAD 4284 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 7132LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 400 सराय 16kbit 55 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 55NS
IS42S16400J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL-TR 1.5184
सराय
 ECAD 4396 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
W972GG8KS25I TR Winbond Electronics W972GG8KS25I TR 10.1700
सराय
 ECAD 5410 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA W972GG8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x9.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W972GG8KS25ITR Ear99 8542.32.0036 2,500 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
S25FL128P0XNFI001 Cypress Semiconductor Corp S25FL128P0XNFI001 5.0600
सराय
 ECAD 1870 0.00000000 Rayr सेमीकंडक Fl-p नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B1A 8542.32.0071 82 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 3ms
M25PX64-VMD6G Micron Technology Inc. M25PX64-VMD6G -
सराय
 ECAD 5119 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25PX64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 320 75 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
XC17128ELVO8C AMD XC17128ELVO8C -
सराय
 ECAD 9730 0.00000000 एएमडी - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) XC17128EL तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V 8-टॉप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 98 ओटीपी 128KB
IS25LP128F-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLA3 2.6234
सराय
 ECAD 5422 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP128F-RHLA3 480 १६६ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
MT25QL256ABA8E14-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E14-1SIT TR -
सराय
 ECAD 6428 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT25QL256ABA8E14-1SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
24LC128T-I/MS Microchip Technology 24LC128T-I/MS 0.8400
सराय
 ECAD 3149 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 24LC128 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz सराय 128kbit 900 एनएस ईपॉम 16K x 8 मैं एसी 5ms
MT28F400B5WG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 B -
सराय
 ECAD 5545 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
CY7C136-25JXI Cypress Semiconductor Corp CY7C136-25JXI -
सराय
 ECAD 2505 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) CY7C136 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.32.0041 15 सराय 16kbit 25 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 25NS तमाम नहीं है
BR25010N-10SU-2.7 Rohm Semiconductor BR25010N-10SU-2.7 0.5578
सराय
 ECAD 2141 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) BR25010 ईपॉम 2.7V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम BR25010N10SU2.7 Ear99 8542.32.0051 2,500 ३ सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8 एसपीआई 5ms
AT25DF321A-SH-T Adesto Technologies AT25DF321A-SH-T 2.7000
सराय
 ECAD 15 0.00000000 एडेसmuth टेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) AT25DF321 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 सराय सराय 32Mbit चमक २५6 एसपीआई 7s, 3ms
M24M01-DWDW3TP/K STMicroelectronics M24M01-DWDW3TP/K 3.4700
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) M24M01 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 1 सराय सराय 1mbit 450 एनएस ईपॉम 128K x 8 मैं एसी 4ms
S29GL01GS11FHI020 Infineon Technologies S29GL01GS11FHI020 12.4950
सराय
 ECAD 4950 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 360 सराय 1gbit 110 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 60NS
CG7193AMT Cypress Semiconductor Corp CG7193AMT -
सराय
 ECAD 7342 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर - तंग 1 (असीमित) सराय 1,000
S99-50426 Infineon Technologies S99-50426 -
सराय
 ECAD 7756 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - रोहस 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1
FEMC064G-M11 Flexxon Pte Ltd FEMC064G-M11 16.9700
सराय
 ECAD 99 0.00000000 फ लेक पीटीई पीटीई पीटीई इकोन ii शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-FBGA (11.5x13) तंग 3 (168 घंटे) 3052-FEMC064G-M11 3A991B1A 8542.32.0071 1 २०० सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 EMMC_5.1 -
NDS76PBA-16ET TR Insignis Technology Corporation NDS76PBA-16ET TR 1.9364
सराय
 ECAD 2078 0.00000000 अफ़रपदाहा * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1982-NDS76PBA-16ETTR 2,500
CY7C1340F-100AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1340F-100AC 3.3000
सराय
 ECAD 98 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1340 SRAM - PANRA, THER 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 सराय सराय 4Mbit 5.5 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
24LCS21A/SN Microchip Technology 24lcs21a/sn 0.5400
सराय
 ECAD 873 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 24lcs21a ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 24lcs21a/sn-ndr Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 1kbit 900 एनएस ईपॉम 128 x 8 मैं एसी 10ms
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR -
सराय
 ECAD 9803 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
AS7C4096A-20TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20TCNTR 4.7977
सराय
 ECAD 1287 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS7C4096 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-tsop2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 20 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 20NS
IS46R86400D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6BLA1-TR 9.3450
सराय
 ECAD 9722 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
AT45DB321D-MU-SL954 Adesto Technologies AT45DB321D-MU-SL954 -
सराय
 ECAD 5318 0.00000000 एडेसmuth टेक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar AT45DB321 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-((6x5) तंग 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 490 ६६ सराय सराय 32Mbit चमक ५१२ सन्निक X ३१ ९ २ सन्निक एसपीआई 6ms
882449-001-C ProLabs 882449-001-सी 615.0000
सराय
 ECAD 4039 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-882449-001-‘ Ear99 8473.30.5100 1
X20C04P-15 Renesas Electronics America Inc X20C04P-15 -
सराय
 ECAD 4893 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-DIP (0.600 ", 15.24 मिमी) X20C04 Thir एएम 4.5V ~ 5.5V 28-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 15 सराय 4kbit 150 एनएस एक प्रकार का 512 x 8 तपस्वी 150NS
AS4C64M16D3LB-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12BINTR 5.5500
सराय
 ECAD 7742 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA AS4C64 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
CAT24C208WI-G onsemi Cat24c208wi-g -
सराय
 ECAD 6324 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CAT24C208 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 8kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 x 4 मैं एसी 5ms
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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