SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
S29GL064N90FFA040 Infineon Technologies S29GL064N90FFA040 -
सराय
ECAD 8199 0.00000000 इंफीनन टेक सियार, AEC-Q100, GL-N शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 64mbit 90 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 90NS
AT24C32N-10SC Microchip Technology AT24C32N-10SC -
सराय
ECAD 3225 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT24C32 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 32kbit 900 एनएस ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 10ms
93LC46AT-E/MNY Microchip Technology 93LC46AT-E/MNY 0.4350
सराय
ECAD 9526 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wfdfn ने पैड को को ranahir rana 93LC46 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,300 २ सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8 अफ़सस 6ms
93LC66CX-I/SN Microchip Technology 93LC66CX-I/SN 0.3600
सराय
ECAD 4107 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93LC66 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93LC66CX-I/SN-NDR Ear99 8542.32.0051 100 ३ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 अफ़सस 6ms
IS43TR16256AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBL-TR -
सराय
ECAD 2264 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
S25HL02GTDPBHV150 Infineon Technologies S25HL02GTDPBHV150 23.7167
सराय
ECAD 4264 0.00000000 इंफीनन टेक * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 448-S25HL02GTDPBHV150 260
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-10 IT: G TR -
सराय
ECAD 5301 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48V8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
NSEC00K032-IT Insignis Technology Corporation Nsec00k032-it 37.5000
सराय
ECAD 3490 0.00000000 अफ़रपदाहा * शिर शिर सतह rurcur 100-एलबीजीए Nsec00 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 98 तमाम नहीं है
S25FL256SAGMFB010 Infineon Technologies S25FL256SAGMFB010 10.0800
सराय
ECAD 2 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, एईसी-क कthयू 100, एफएल-एस शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) S25FL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 240 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
W25Q32FVXGJQ TR Winbond Electronics W25Q32FVXGJQ TR -
सराय
ECAD 1517 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-XSON (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम W25Q32FVXGJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
AT29C010A-90TU Microchip Technology AT29C010A-90TU -
सराय
ECAD 5000 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT29C010 चमक 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 सराय 1mbit 90 एनएस चमक 128K x 8 तपस्वी 10ms
71V65703S85PFG8 Renesas Electronics America Inc 71V65703S85PFG8 15.9151
सराय
ECAD 9825 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 71V65703 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 9mbit 8.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
S-93C76ADFJ-TB-U ABLIC Inc. S-93C76ADFJ-TB-U 0.4800
सराय
ECAD 8 0.00000000 एब एब इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) S-93C76 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-sop-j तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0051 4,000 २ सराय सराय 8kbit ईपॉम 512 x 16 अफ़सस 10ms
7006L35PF8 Renesas Electronics America Inc 7006L35PF8 -
सराय
ECAD 7048 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 7006L35 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 750 सराय 128kbit 35 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी 35NS
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNS-AAT ES TR -
सराय
ECAD 1155 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC128 फmume - नंद - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1tbit चमक 128g x 8 एमएमसी -
IS29GL064-70BLED ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL064-70BLED 3.0145
सराय
ECAD 8077 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS29GL064-70BLED 480
S29GL256P11FFIS12 Infineon Technologies S29GL256P11FFIS12 -
सराय
ECAD 1456 0.00000000 इंफीनन टेक Gl-p R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 400 सराय 256Mbit 110 एनएस चमक 32 सिया x 8 तपस्वी 110NS
AS6C4016-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4016-55BINTR 4.1105
सराय
ECAD 9221 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA AS6C4016 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
S25FS256SAGMFV000 Nexperia USA Inc. S25FS256SAGMFV000 3.8200
सराय
ECAD 177 0.00000000 अफ़संद - थोक शिर - 2156-S25FS256SAGMFV000 79
UCSX-MR-X64G2RW-C ProLabs UCSX-MR-X64G2RW-C 770.0000
सराय
ECAD 1568 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-UCSX-MR-X64G2RW-C Ear99 8473.30.5100 1
MTFC8GLWDM-AIT Z Micron Technology Inc. Mtfc8glwdm-ait z -
सराय
ECAD 8683 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
AT27BV256-90RI Microchip Technology AT27BV256-90RI -
सराय
ECAD 3700 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-SHIC (0.342 ", 8.69 मिमी antake) AT27BV256 EPROM - OTP 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम AT27BV25690RI Ear99 8542.32.0061 26 सराय 256kbit 90 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी -
SST39SF040-70-4C-WHE Microchip Technology SST39SF040-70-4C-WHE 2.0200
सराय
ECAD 4058 0.00000000 तमाम SST39 MPF ™ शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.488 ", 12.40 मिमी antak) SST39SF040 चमक 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम SST39SF040704CWHE Ear99 8542.32.0071 208 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 20
IS62WV25616BLL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BI-TR -
सराय
ECAD 7966 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
S71WS256PC0HH3YR3 Infineon Technologies S71WS256PC0HH3YR3 -
सराय
ECAD 9652 0.00000000 इंफीनन टेक डबmumaut-पी R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA S71WS256 सोरम 1.7V ~ 1.95V 84-FBGA (8x11.6) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 80 सराय सींग 256MBIT (lestus), 64Mbit (RAM) अफ़म, रत्न - तपस्वी -
11AA080-I/S16K Microchip Technology 11AA080-I/S16K -
सराय
ECAD 8716 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur शराबी 11AA080 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V शराबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 100 kHz सराय 8kbit ईपॉम 1k x 8 अँगुला 5ms
24AA32ASC-I/WF16K Microchip Technology 24AA32ASC-I/WF16K -
सराय
ECAD 9483 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur शराबी 24AA32 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V शराबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz सराय 32kbit 900 एनएस ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 5ms
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
सराय
ECAD 8538 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
BR93L66RFJ-WE2 Rohm Semiconductor BR93L66RFJ-WE2 0.4600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) BR93L66 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-sop-j तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 256 x 16 अफ़सस 5ms
MX25U8035EM2I-10G Macronix MX25U8035EM2I-10G 0.5888
सराय
ECAD 4698 0.00000000 तिहाई MX25XXX35/36 - MXSMIO ™ नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) MX25U8035 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 92 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 30s, 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम