SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR 10.3950
सराय
ECAD 6998 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
71V3559S80BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80BG 7.6600
सराय
ECAD 677 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए 71V3559 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4.5mbit 8 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
7024S70GB Renesas Electronics America Inc 7024S70GB -
सराय
ECAD 9334 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 84-BPGA 7024S70 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 84-((27.94x27.94) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 3 सराय 64kbit 70 एनएस शिर 4K x 16 तपस्वी 70NS
M95M04-DWMN3TP/V STMicroelectronics M95M04-DWMN3TP/V 5.7900
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M95M04 ईपॉम 2.9V ~ 5.5V 8-हुक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 497-M95M04-DWMN3TP/VTR 3A991B1B1 8542.32.0051 2,500 10 सराय सराय 4Mbit 40 एनएस ईपॉम 512K x 8 एसपीआई 4ms
25AA320AT-I/MS Microchip Technology 25AA320AT-I/MS 0.8400
सराय
ECAD 495 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 25AA320 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 10 सराय सराय 32kbit ईपॉम 4K x 8 एसपीआई 5ms
S25FL127SABNFV103 Infineon Technologies S25FL127SABNFV103 -
सराय
ECAD 2541 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FL127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
AT24CS04-XHM-B Microchip Technology AT24CS04-XHM-B 0.3450
सराय
ECAD 1144 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) AT24CS04 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 4kbit 550 एनएस ईपॉम 512 x 8 मैं एसी 5ms
CY7C1041GE30-10ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041GE30-10ZSXI 1.0000
सराय
ECAD 8728 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY7C1041 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग 1 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS तमाम नहीं है
N25Q128A13E1441F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1441F TR -
सराय
ECAD 2406 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT62F768M64D4EJ-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT: ए 77.2200
सराय
ECAD 7726 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT62F768 - तमाम 557-MT62F768M64D4EJ-031WT: ए 1,190
AS4C32M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD2A-25bin 8.2800
सराय
ECAD 9694 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए AS4C32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1470 Ear99 8542.32.0032 128 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR 47.9400
सराय
ECAD 9525 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8TR 2,000
MT35XL512ABA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL512ABA2G12-0AAT -
सराय
ECAD 7992 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X थोक तंग -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए MT35XL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 XCCELA बस -
CY7C1263KV18-400BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1263KV18-400BZI 55.6400
सराय
ECAD 284 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1263 Sram - सिंकthirोनस, qdr ii+ 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग 6 ४०० सराय सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी - तमाम नहीं है
IS43R16320F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI-TR 5.3482
सराय
ECAD 4769 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
S29AS016J70BFI040 Cypress Semiconductor Corp S29AS016J70BFI040 -
सराय
ECAD 3106 0.00000000 Rayr सेमीकंडक R के ray में थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए S29AS016 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 48-FBGA (8.15x6.15) तंग 35 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS तमाम नहीं है
71V67602S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S150PFG -
सराय
ECAD 5142 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 71V67602 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) तंग 3A991B2A 8542.32.0041 1 १५० तंग सराय 9mbit 3.8 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
MTFC4GMCAM-1M WT Micron Technology Inc. Mtfc4gmcam-1m wt -
सराय
ECAD 1258 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
S29GL256N11FFA020 Infineon Technologies S29GL256N11FFA020 -
सराय
ECAD 9633 0.00000000 इंफीनन टेक जीएल एन शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 256Mbit 110 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 110NS
6116SA25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25TPG -
सराय
ECAD 6186 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) 6116SA Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 24-पीडीआईपी तंग Ear99 8542.32.0041 1 सराय 16kbit 25 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 25NS
S70GL02GS12FHB010 Infineon Technologies S70GL02GS12FHB010 38.2025
सराय
ECAD 9438 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, एईसी-क कthयू 100, जीएल-एस शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S70GL02 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 सराय 2 जीबिट 120 एनएस चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
GS8662DT38BGD-500I GSI Technology Inc. GS8662DT38BGD-500I 129.1320
सराय
ECAD 1374 0.00000000 जीएसआई टेक टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) सतह rurcur 165-LBGA GS8662D Sram - कthama theircut 1.7V ~ 1.9V 165-FPBGA (15x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2364-GS8662DT38BGD-500I 3A991B2B 8542.32.0041 15 ५०० तंग सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
71V321S35J IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321S35J -
सराय
ECAD 3453 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 71V321S Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस Ear99 8542.32.0041 24 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
71V321LA35PF8 Renesas Electronics America Inc 71V321LA35PF8 -
सराय
ECAD 3287 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 71V321L Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 64-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 750 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
7134LA25P Renesas Electronics America Inc 7134LA25P -
सराय
ECAD 9818 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 48-डिप (0.600 ", 15.24 मिमी) 7134LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 48-पीडीआईपी तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 7 सराय 32kbit 25 एनएस शिर 4K x 8 तपस्वी 25NS
CY62147EV30LL-45B2XI Cypress Semiconductor Corp CY62147EV30LL-45B2XI 4.8600
सराय
ECAD 83 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL® थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62147 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग 62 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS तमाम नहीं है
GS84018CGT-250I GSI Technology Inc. GS84018CGT-250I 11.0200
सराय
ECAD 36 0.00000000 जीएसआई टेक टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) सतह rurcur 100-lqfp GS84018 SRAM - PANRA, SANTAY 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 100-y (20x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2364-GS84018CGT-250I Ear99 8542.32.0041 72 २५० तंग सराय 4Mbit शिर 256K x 18 तपस्वी -
IS61QDPB41M36A-450M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-450M3I -
सराय
ECAD 3591 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdpb41 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ४५० सराय सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
XC1736EPDG8C AMD XC1736EPDG8C -
सराय
ECAD 5348 0.00000000 एएमडी - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) XC1736E तमाम नहीं है 4.75V ~ 5.25V 8-पीडीआईपी तंग 1 (असीमित) तमाम 122-1509 Ear99 8542.32.0071 50 ओटीपी 36KB
CAT24WC04W Catalyst Semiconductor Inc. Cat24wc04w -
सराय
ECAD 2577 0.00000000 उतthurेirेirक r अrachaphay इंक। - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Cat24wc04 ईपॉम 2.5V ~ 6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 1 400 kHz सराय 4kbit 3.5 µs ईपॉम 512 x 8 मैं एसी 10ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम