SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
S29JL032J60TFI210 Infineon Technologies S29JL032J60TFI210 -
सराय
ECAD 1331 0.00000000 इंफीनन टेक जेएल-जेएल शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29JL032 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 32Mbit 60 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 60NS
24LC32A/SN Microchip Technology 24lc32a/sn 0.5000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 24lc32a ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 32kbit 900 एनएस ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 5ms
FT93C66A-IDR-B Fremont Micro Devices Ltd FT93C66A-IDR-B -
सराय
ECAD 8809 0.00000000 Fremont vapakirो kanaute लिमिटेड - नली Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 93C66A ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 3 नताया 10ms
AT17LV65-10NC Microchip Technology AT17LV65-10NC -
सराय
ECAD 7334 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT17LV65 तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 तमाम 64kb
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT: G 2.0207
सराय
ECAD 1833 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-UDFN MT29F2G01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 8-UPDFN (8x6) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -MT29F2G01ABBGDWB-IT: GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
IDT71V3577SA80BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V3577SA80BQI -
सराय
ECAD 5666 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V3577 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V3577SA80BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 सराय 4.5mbit 8 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
AT93C46-10PC-2.7 Microchip Technology AT93C46-10PC-2.7 -
सराय
ECAD 7390 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 93C46 ईपॉम 2.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 २ सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8, 64 x 16 3 नताया 10ms
MR2A08ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A08ACMA35 31.8100
सराय
ECAD 1 0.00000000 Rayrauth टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA MR2A08 Mram (t मैगthurrauntuth riैम) 3V ~ 3.6V 48-‘(8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 819-1034 Ear99 8542.32.0071 348 सराय 4Mbit 35 एनएस तमाम 512K x 8 तपस्वी 35NS
AT28C256-15UM883 Atmel AT28C256-15UM883 -
सराय
ECAD 2570 0.00000000 अटमेल - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 28-बीसीपीजीए AT28C256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-CPGA (16.51x13.97) तंग 3A001A2C 8542.32.0051 1 सराय 256kbit 150 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 10ms
MT47H128M4SH-25E:H Micron Technology Inc. MT47H128M4SH-25E: H -
सराय
ECAD 5908 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,518 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
SST25WF040BT-40I/SN Microchip Technology SST25WF040BT-40I/SN 1.2000
सराय
ECAD 2939 0.00000000 तमाम SST25 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SST25WF040 चमक 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,300 40 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 1ms
NDS73PBE-16IT Insignis Technology Corporation Nds73pbe-16it 3.7500
सराय
ECAD 3074 0.00000000 अफ़रपदाहा - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) - 1982-NDS73PBE-16IT 2,000 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 Lvttl -
IS45S16320D-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1-TR 19.6500
सराय
ECAD 1567 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
27S23JC Rochester Electronics, LLC 27S23JC 18.6000
सराय
ECAD 4 0.00000000 रत्यसद, - थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0071 1
R1LV1616RSA-7SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV1616RSA-7SI#S0 -
सराय
ECAD 8652 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) R1LV1616R शिर 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 16Mbit 70 एनएस शिर 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
IDT71V3556S150BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S150BQ8 -
सराय
ECAD 9055 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V3556 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V3556S150BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १५० तंग सराय 4.5mbit 3.8 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
S26KS128SDPBHN020 Infineon Technologies S26KS128SDPBHN020 7.8866
सराय
ECAD 9755 0.00000000 इंफीनन टेक सरायस शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-वीबीजीए S26KS128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 676 १६६ सराय सराय 128Mbit 96 एनएस चमक 16 सिया x 8 तपस्वी -
7132LA35FB Renesas Electronics America Inc 7132LA35FB -
सराय
ECAD 2265 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-फ 7132LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 48-फैक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 9 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES: D TR -
सराय
ECAD 8058 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 - -
EDBA164B2PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PR-1D-FD -
सराय
ECAD 7791 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-वीएफबीजीए Edba164 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,680 ५३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ तपस्वी -
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
सराय
ECAD 7104 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
CY7C1315BV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1315BV18-250BZC 35.1300
सराय
ECAD 55 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1315 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3A991B2A 8542.32.0041 9 २५० तंग सराय 18mbit शिर 512K x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
NV25256DWHFT3G onsemi NV25256DWHFT3G 0.5552
सराय
ECAD 4498 0.00000000 Onsemi सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran NV25256 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 488-NV25256DWHFT3GTR Ear99 8542.32.0051 3,000 10 सराय सराय 256kbit 80 एनएस ईपॉम 32K x 8 एसपीआई 5ms
93LC56AXT-E/SN Microchip Technology 93LC56AXT-E/SN 0.4050
सराय
ECAD 6545 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93LC56 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93LC56AXT-E/SN-NDR Ear99 8542.32.0051 3,300 २ सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8 अफ़सस 6ms
SST26VF064BT-104I/SO Microchip Technology SST26VF064BT-104I/SO 3.6800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम SST26 SQI® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) SST26VF064 चमक 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 1.5ms
A5764358-C ProLabs A5764358-C 28.7500
सराय
ECAD 9859 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-A5764358-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C145-35JC Cypress Semiconductor Corp CY7C145-35JC 10.2000
सराय
ECAD 91 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) CY7C145 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.23x24.23) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1 सराय 72kbit 35 एनएस शिर 8K x 9 तपस्वी 35NS
580970-002-00 Infineon Technologies 580970-002-00 -
सराय
ECAD 1586 0.00000000 इंफीनन टेक * थोक शिर - Rohs3 आजthabaira तंग तमाम शिर 0000.00.0000 1
IS25WP128F-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp128f-rhla3-tr 2.6208
सराय
ECAD 3988 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP128F-RHLA3-TRE 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
S29JL032J60TFI010 Infineon Technologies S29JL032J60TFI010 5.1900
सराय
ECAD 7572 0.00000000 इंफीनन टेक जेएल-जेएल शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29JL032 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 32Mbit 60 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 60NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम