SIC
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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
CAT24C64HU4I-GT3 onsemi CAT24C64HU4I-GT3 0.5900
सराय
 ECAD 7195 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran Cat24c64 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN-EP (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 1 सराय सराय 64kbit 400 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 5ms
IS61C64AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10TLI 1.2867
सराय
 ECAD 8502 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau IS61C64 Sram - एसिंकthirोनस 4.75V ~ 5.25V 28-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 234 सराय 64kbit 10 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 10NS
R1LV3216RSA-5SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV3216RSA-5SI#B0 -
सराय
 ECAD 9063 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) R1LV3216 शिर 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 32Mbit 55 एनएस शिर 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 55NS
CG8621AM Infineon Technologies CG8621AM -
सराय
 ECAD 4496 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर - सराय तमाम शिर 0000.00.0000 1
W631GU6KB12I TR Winbond Electronics W631GU6KB12I TR -
सराय
 ECAD 3791 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA W631GU6 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-WBGA (9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
93LC46A-I/ST Microchip Technology 93LC46A-I/ST 0.3600
सराय
 ECAD 80 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 93LC46 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8 अफ़सस 6ms
MT41K512M4DA-125:M Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-125: m -
सराय
 ECAD 5185 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 512M x 4 तपस्वी -
GD55LB02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB02GEBJRY 22.0514
सराय
 ECAD 5849 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55LB02GEBJRY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
AT27C010-90PC Microchip Technology AT27C010-90PC -
सराय
 ECAD 9316 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 32-डिप (0.600 ", 15.24 मिमी) AT27C010 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 32-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम AT27C01090PC Ear99 8542.32.0061 12 सराय 1mbit 90 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी -
CG7734AAT Infineon Technologies CG7734AAT -
सराय
 ECAD 9770 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर - सराय तमाम शिर 0000.00.0000 1
25LC160CT-H/SN Microchip Technology 25LC160CT-H/SN 0.8700
सराय
 ECAD 1227 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 25LC160 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A001A2A 8542.32.0051 3,300 ५ सभा सराय 16kbit ईपॉम 2k x 8 एसपीआई 6ms
CY14B101NA-ZS25XIT Infineon Technologies CY14B101NA-ZS25XIT 23.9750
सराय
 ECAD 2082 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Cy14b101 Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 25 एनएस एक प्रकार का 64K x 16 तपस्वी 25NS
NM24C08UFLM8 Fairchild Semiconductor NM24C08UFLM8 0.4000
सराय
 ECAD 8063 0.00000000 सराय - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) NM24C08 ईपॉम 2.7V ~ 4.5V 8-हुक तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 1 400 kHz सराय 8kbit 900 एनएस ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 15ms
W25R256JWPIQ Winbond Electronics W25R256JWPIQ 4.5600
सराय
 ECAD 649 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25R256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25R256JWPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई -
CY7C1041BN-15VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1041BN-15VXC 2.1900
सराय
 ECAD 382 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) CY7C1041 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 15 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR16128D-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI-TR 4.6838
सराय
 ECAD 3585 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16128D-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
S25FL512SAGBHIY13 Infineon Technologies S25FL512SAGBHIY13 8.6625
सराय
 ECAD 3704 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार -
CY7C024AV-15AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C024AV-15AXI 1.0000
सराय
 ECAD 5784 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C024 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.32.0041 90 सराय 64kbit 15 एनएस शिर 4K x 16 तपस्वी 15NS तमाम नहीं है
93L425DMQB40 National Semiconductor 93L425DMQB40 17.0000
सराय
 ECAD 27 0.00000000 चतुर्थ 93L425 थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 16-सीडीआईपी तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 1 सराय 1kbit 70 एनएस शिर 1k x 1 तपस्वी 55NS
N25Q064A13ESF41F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF41F TR -
सराय
 ECAD 1407 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M45PE80-VMP6G Alliance Memory, Inc. M45PE80-VMP6G -
सराय
 ECAD 3603 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M45PE80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-M45PE80-VMP6G 3A991B1A 8542.32.0071 490 75 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 3ms
MT53B256M64D2NK-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-062 WT: C -
सराय
 ECAD 6122 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 -
सराय
 ECAD 6359 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H8M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AT28HC256F-90SI Microchip Technology AT28HC256F-90SI -
सराय
 ECAD 7605 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) AT28HC256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान - रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0051 27 सराय 256kbit 90 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 3ms
71V416L12YG Renesas Electronics America Inc 71V416L12YG -
सराय
 ECAD 5994 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) 71V416L Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 16 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
MT45W2MW16BGB-708 AT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BGB-708 THER -
सराय
 ECAD 5652 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W2MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 32Mbit 70 एनएस तड़प 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
IDT71256L35Y8 Renesas Electronics America Inc IDT71256L35Y8 -
सराय
 ECAD 9600 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 28-((0.300 ", 7.62 मिमी ranak) IDT71256 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 71256L35Y8 Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 256kbit 35 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 35NS
CY7C199CN-15ZXC Infineon Technologies CY7C199CN-15ZXC -
सराय
 ECAD 8049 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau CY7C199 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 28-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,170 सराय 256kbit 15 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 15NS
MT53E1G64D4SP-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SP-046 WT: C TR 37.2450
सराय
 ECAD 5449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt53e1 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E1G64D4SP-046WT: CTR 2,000
S29GL512P10FAIR10 Infineon Technologies S29GL512P10FAIR10 -
सराय
 ECAD 9300 0.00000000 इंफीनन टेक Gl-p थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL512 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 64-((11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 100NS
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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