SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
70V25S20J8 Renesas Electronics America Inc 70V25S20J8 -
सराय
ECAD 1869 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-जे (जे-लीड) 70V25S Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 84-PLCC (29.31x29.31) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 200 सराय 128kbit 20 एनएस शिर 8K x 16 तपस्वी 20NS
M27C2001-15F1 STMicroelectronics M27C2001-15F1 -
सराय
ECAD 9870 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 32-सीडीआईपी (0.600 ", 15.24 विंडो) विंडो M27C2001 EPROM - UV 4.5V ~ 5.5V खिड़की के ramak 32-सीडीआईपी फ फ फ फ फ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1026-M27C2001-15F1 Ear99 8542.32.0061 12 सराय 2mbit 150 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी -
CAT25080VE-GT3 onsemi CAT25080VE-GT3 -
सराय
ECAD 9379 0.00000000 Onsemi * थोक शिर तंग Ear99 8542.32.0051 1
7132SA25JI Renesas Electronics America Inc 7132SA25JI -
सराय
ECAD 3019 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 7132SA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 24 सराय 16kbit 25 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 25NS
IS25LQ016-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016-JNLE -
सराय
ECAD 6488 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LQ016 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 2ms
SM661PX4-AC Silicon Motion, Inc. SM661PX4-AC -
सराय
ECAD 4966 0.00000000 सिलिकॉन मोशन, इंक। - शिर शिर SM661 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8523.51.0000 1
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR Micron Technology Inc. MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 TR -
सराय
ECAD 6545 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT29AZ2 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110TR 1,000
S29GL256N10TFA023 Infineon Technologies S29GL256N10TFA023 -
सराय
ECAD 9627 0.00000000 इंफीनन टेक जीएल एन शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 256Mbit 100 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 100NS
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT: C TR -
सराय
ECAD 8712 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MBM29LV400BC-70PFTN Fujitsu MBM29LV400BC-70PFTN 1.5000
सराय
ECAD 1 0.00000000 Fujitsu - नली शिर सतह rurcur फmut - rey औ ही ही ही 3 वी 48-स - 3277-MBM29LV400BC-70PFTN Ear99 8542.32.0071 192 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी तमाम नहीं है
CY62147CV18LL-70BKI Cypress Semiconductor Corp CY62147CV18LL-70BKI 2.6600
सराय
ECAD 2 0.00000000 Rayr सेमीकंडक * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1
R1EX24016ASAS0I#S1 Renesas Electronics America Inc R1EX24016ASAS0I#S1 -
सराय
ECAD 2722 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 250
GD25Q20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CTIGRIGRIGRIGRIG 0.3800
सराय
ECAD 26 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
IS42S16160D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6TLI -
सराय
ECAD 2431 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
W25Q32FVSFJQ Winbond Electronics W25Q32FVSFJQ -
सराय
ECAD 1091 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
S25HS01GTFAMHM010 Infineon Technologies S25HS01GTFAMHM010 22.7675
सराय
ECAD 2592 0.00000000 इंफीनन टेक किलोमीटर शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 16-हुकिक तंग 3A991B1A 8542.32.0071 240 १६६ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
CAT25256YI-GC onsemi CAT25256YI-GC -
सराय
ECAD 2239 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) CAT25256 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP - 1 (असीमित) तमाम 488-CAT25256YI-GC शिर 100 10 सराय सराय 256kbit ईपॉम 32K x 8 एसपीआई 5ms
R1RW0408DGE-2PI#B1 Renesas Electronics America Inc R1RW0408DGE-2PI#B1 4.9409
सराय
ECAD 2683 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) R1RW0408 शिर 3V ~ 3.6V 36-SOJ - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 22 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 12NS
CY62147DV30L-55BVXET Infineon Technologies CY62147DV30L-55BVXET -
सराय
ECAD 6134 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62147 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
70V3319S133BCI Renesas Electronics America Inc 70V3319S133BCI 256.1613
सराय
ECAD 5389 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 256-एलबीजीए 70V3319 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V २५६-ओना (११ X17) तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 6 १३३ सराय सराय 4.5mbit 4.2 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
7025L70FB Renesas Electronics America Inc 7025L70FB -
सराय
ECAD 5792 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 84-फ 7025L70 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 84-फैक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 6 सराय 128kbit 70 एनएस शिर 8K x 16 तपस्वी 70NS
AS7C1026B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-12JCN 3.1724
सराय
ECAD 1855 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) AS7C1026 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1046 3A991B2B 8542.32.0041 16 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
AF064GEC5A-2001A2 ATP Electronics, Inc. AF064GEC5A-2001A2 115.6000
सराय
ECAD 23 0.00000000 इलेक इलेकmuniraugut, इंक। ऑटोमोटिव शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 153-एफबीजीए AF064 फmus - नंद (pslc) 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1282-AF064GEC5A-2001A2 3A991B1A 8542.32.0071 760 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 ईएमएमसी
HM4-6617-9 Harris Corporation HM4-6617-9 29.4100
सराय
ECAD 43 0.00000000 सराय - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-सीएलसीसी HM4-6617 - 4.5V ~ 5.5V 32-((13.97x11.43) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0071 1 सराय 16kbit 140 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी -
24LC32AXT-E/ST Microchip Technology 24lc32axt-e/st 0.6300
सराय
ECAD 7529 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 24lc32a ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz सराय 32kbit 900 एनएस ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 5ms
A0R55A-C ProLabs A0R55A-C 51.2500
सराय
ECAD 9957 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-A0R55A-C Ear99 8473.30.5100 1
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AIT: C TR 51.3600
सराय
ECAD 1003 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
CAT24WC66JI-TE13 onsemi CAT24WC66JI-TE13 0.0500
सराय
ECAD 8 0.00000000 Onsemi - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Cat24wc66 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग रोहस सराय 2156-CAT24WC6666JI-TE13-488 Ear99 8542.32.0071 1 400 kHz सराय 64kbit 1 µs ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 10ms
IS42S32800B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7B-TR -
सराय
ECAD 8739 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
CY7C024BV-15AXI Infineon Technologies CY7C024BV-15AXI -
सराय
ECAD 5790 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C024 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 90 सराय 64kbit 15 एनएस शिर 4K x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम