SIC
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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
W972GG8KS25I Winbond Electronics W972GG8KS25I 10.9060
सराय
 ECAD 6503 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA W972GG8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x9.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 256-W972GG8KS25I Ear99 8542.32.0036 189 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
XC18V02PCG44C0100 AMD XC18V02PCG44C0100 -
सराय
 ECAD 1416 0.00000000 एएमडी - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 44-जे (जे-लीड) तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V 44-((16.59x16.59) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 3A991B1B1 8542.32.0071 500 सिसth -kirोगrasharak में 2 एमबी
AT29LV256-15TC Microchip Technology AT29LV256-15TC -
सराय
 ECAD 3949 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT29LV256 चमक 3V ~ 3.6V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 234 सराय 256kbit 150 एनएस चमक 32K x 8 तपस्वी 20ms
M25P16-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN6TPBA TR -
सराय
 ECAD 2070 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
W948D6FBHX5E TR Winbond Electronics W948D6FBHX5E TR -
सराय
 ECAD 4127 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA W948D6 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 २०० सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
CAT24C64YGI onsemi Cat24c64ygi -
सराय
 ECAD 4972 0.00000000 Onsemi * थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) Cat24c64 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-एमएसओपी - रोहस सराय 2156-CAT24C64YGI-488 Ear99 8542.32.0071 1 1 सराय सराय 64kbit 400 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 5ms
W25Q32FVTCBQ Winbond Electronics W25Q32FVTCBQ -
सराय
 ECAD 7696 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) - 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q32FVTCBQ शिर 1 १०४ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
CAT28C16AN-20 Catalyst Semiconductor Inc. CAT28C16AN-20 -
सराय
 ECAD 6416 0.00000000 उतthurेirेirक r अrachaphay इंक। - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) Cat28c16 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 1 सराय 16kbit 200 एनएस ईपॉम 2k x 8 तपस्वी 10ms
S34MS01G104BHB080 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G104BHB080 -
सराय
 ECAD 2037 0.00000000 Rayr सेमीकंडक एमएस -1 शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए S34MS01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((11x9) - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 210 सराय 1gbit 45 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 45NS
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGR 2.3105
सराय
 ECAD 2302 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B256EYIGRTR 3,000 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
CY62157EV30LL-45BVXA Cypress Semiconductor Corp CY62157EV30LL-45BVXA 26.2700
सराय
 ECAD 222 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62157 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग रोहस सराय 2832-CY62157EV30LL-45BVXATR 20 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 45NS तमाम नहीं है
AS7C32098A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-12TCNTR 4.4831
सराय
 ECAD 2799 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS7C32098 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-tsop2 तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 2mbit 12 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 12NS
SST25VF032B-66-4I-S2AF Microchip Technology SST25VF032B-66-4I-S2AF -
सराय
 ECAD 6190 0.00000000 तमाम SST25 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) SST25VF032 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 90 ६६ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 एसपीआई 10μS
IDT71V65802S150BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V65802S150BQ8 -
सराय
 ECAD 4797 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V65802 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V65802S150BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १५० तंग सराय 9mbit 3.8 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
25LC040/SN Microchip Technology 25LC040/एसएन 0.7200
सराय
 ECAD 4612 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 25LC040 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8 एसपीआई 5ms
AT24C256C-MAHL-E Microchip Technology AT24C256C-MAHL-E 0.8700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran AT24C256C ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 15,000 1 सराय सराय 256kbit 550 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 5ms
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI -
सराय
 ECAD 6041 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 242 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT44K32M18RB-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E: एक TR -
सराय
 ECAD 5472 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M18 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 800 तंग सराय 576MBIT 10 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
AT24C128-10TI-1.8 Microchip Technology AT24C128-10TI-1.8 -
सराय
 ECAD 6046 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) AT24C128 ईपॉम 1.8V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 128kbit 900 एनएस ईपॉम 16K x 8 मैं एसी 10ms
GD25LQ128DY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DY2GY 2.1331
सराय
 ECAD 1815 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LQ128DY2GY 4,800 १०४ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 2.4ms
JS28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWL0 -
सराय
 ECAD 4242 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F00AM29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0051 96 सराय 1gbit 110 एनएस चमक 128 पर X 8, 64 THER X 16 तपस्वी 110NS
AT28HC256-12TC Microchip Technology AT28HC256-12TC -
सराय
 ECAD 3955 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT28HC256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 234 सराय 256kbit 120 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 10ms
CY7C09569V-100BBC Infineon Technologies CY7C09569V-100BBC -
सराय
 ECAD 5852 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 172-एलबीजीए CY7C09569 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 172-((15x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 126 100 सराय सराय 576kbit 5 एनएस शिर 16k x 36 तपस्वी -
S29WS128P0SBFW000 Infineon Technologies S29WS128P0SBFW000 -
सराय
 ECAD 5233 0.00000000 इंफीनन टेक डबmumaut-पी शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-वीएफबीजीए S29WS128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 84-((11.6x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 200 80 सराय सराय 128Mbit 80 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 60NS
S29GL256S90DHI020 Spansion S29GL256S90DHI020 -
सराय
 ECAD 9953 0.00000000 तमाम GL-S थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((9x9) तंग 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 256Mbit 90 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 60NS
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL 3.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 706-1554 Ear99 8542.32.0028 209 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61LPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-2550B3I-TR -
सराय
 ECAD 4878 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPS51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
S29GL256S10DHIV13 Infineon Technologies S29GL256S10DHIV13 6.9825
सराय
 ECAD 9736 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 64-((9x9) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 सराय 256Mbit 100 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 60NS
MT45W4MW16PFA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-70 IT TR -
सराय
 ECAD 9248 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
CY7C1356C-166AXIT Infineon Technologies CY7C1356C-166AXIT 17.2550
सराय
 ECAD 3276 0.00000000 इंफीनन टेक Nobl ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1356 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 750 १६६ सराय सराय 9mbit 3.5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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