SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
UPD46365184BF1-E33-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46365184BF1-E33-EQ1-A 60.1500
सराय
ECAD 795 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1
24FC01T-E/ST36KVAO Microchip Technology 24FC01T-E/ST36KVAO -
सराय
ECAD 3597 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 24FC01 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग तमाम 150-24FC01T-E/ST36KVAOTR Ear99 8542.32.0051 2,500 1 सराय सराय 1kbit 450 एनएस ईपॉम 128 x 8 मैं एसी 5ms
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35R 50.4600
सराय
ECAD 1 0.00000000 Rayrauth टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MR4A16 Mram (t मैगthurrauntuth riैम) 3V ~ 3.6V 54-tsop2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 16Mbit 35 एनएस तमाम 1 सिया x 16 तपस्वी 35NS
CY62136FV30LL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY62136FV30LL-45ZSXI 2.7900
सराय
ECAD 289 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL® थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY62136 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग 108 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS तमाम नहीं है
EM6GE16EWXD-10IH Etron Technology, Inc. EM6GE16EWXD-10IH 5.8500
सराय
ECAD 8438 0.00000000 एटthirॉन टेकcun, इंक। - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA EM6GE16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2174-EM6GE16EWXD-10IHTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
AS4C16M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-7TCNTR -
सराय
ECAD 9458 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS4C16 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 14NS
CAT24C128ZI-GT3 onsemi CAT24C128ZI-GT3 -
सराय
ECAD 9381 0.00000000 Onsemi - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) CAT24C128 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय Ear99 8542.32.0051 3,000 1 सराय सराय 128kbit 400 एनएस ईपॉम 16K x 8 मैं एसी 5ms
IS43LQ16256AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256AL-062TBLI 13.0470
सराय
ECAD 7843 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16256AL-062TBLI 136 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL -
CAT28C17AW20 onsemi CAT28C17AW20 3.6400
सराय
ECAD 135 0.00000000 Onsemi * थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 28-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) CAT28C17 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान - रोहस तमाम 2156-CAT28C17AW20 Ear99 8542.32.0071 1 सराय 16kbit 200 एनएस ईपॉम 2k x 8 10ms
MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-25E: B TR -
सराय
ECAD 9748 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
R1RW0416DSB-2PI#D1 Renesas Electronics America Inc R1RW0416DSB-2PI#D1 4.9409
सराय
ECAD 4019 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) R1RW0416 शिर 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
IS43R16320D-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BI-TR -
सराय
ECAD 2359 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
71T75602S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S100PFG 6.6800
सराय
ECAD 219 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 71T75602 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 सराय सराय 18mbit 5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
M95080-DRMF3TG/K STMicroelectronics M95080-DRMF3TG/K 0.6500
सराय
ECAD 7552 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wfdfn ने पैड को को ranahir rana M95080 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 २० सभा सराय 8kbit ईपॉम 1k x 8 एसपीआई 4ms
71V67703S75BQGI Renesas Electronics America Inc 71V67703S75BQGI 28.5570
सराय
ECAD 4406 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए 71V67703 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 136 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43TR16512A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBLI -
सराय
ECAD 7593 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1460 Ear99 8542.32.0036 136 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IDT71V547S90PF Renesas Electronics America Inc IDT71V547S90PF -
सराय
ECAD 7723 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IDT71V547 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V547S90PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 सराय 4.5mbit 9 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
XC17S50APD8I AMD XC17S50APD8I -
सराय
ECAD 5859 0.00000000 एएमडी - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) XC17S50A तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V 8-पीडीआईपी तंग रोहस तंग तमाम Ear99 8542.32.0071 50 ओटीपी 500 केबी
S99AL016J0210 Infineon Technologies S99AL016J0210 -
सराय
ECAD 2854 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर - सराय तमाम शिर 0000.00.0000 1
IS43TR16128A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-15HBLI -
सराय
ECAD 5378 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
70V27L20PFI Renesas Electronics America Inc 70V27L20PFI -
सराय
ECAD 5271 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70V27L Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 6 सराय 512kbit 20 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 20NS
CY14B116S-BZ35XIT Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT 62.8425
सराय
ECAD 9876 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) - Rohs3 आजthabaira तमाम 1,000 सराय 16Mbit 35 एनएस एक प्रकार का तपस्वी 35NS
R1RP0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America Inc R1RP0416DSB-2PI#B0 -
सराय
ECAD 9430 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) R1RP0416 शिर 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
AT17F040-30VJI Microchip Technology AT17F040-30VJI -
सराय
ECAD 2018 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 20-जे (जे-लीड) AT17F040 तमाम नहीं है 2.97V ~ 3.63V 20-((9x9) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 50 चमक 4MB
SST49LF016C-33-4C-NHE-T Microchip Technology SST49LF016C-33-4C-NHE-T -
सराय
ECAD 8369 0.00000000 तमाम SST49 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) SST49LF016 चमक 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 750 ३३ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 तपस्वी 10μS
CY7C188-35VC Cypress Semiconductor Corp CY7C188-35VC 4.9600
सराय
ECAD 2 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.300 ", 7.62 मिमी antake) CY7C188 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-सोज तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0041 1 सराय 288kbit 35 एनएस शिर 32K x 9 तपस्वी 35NS
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 यह TR -
सराय
ECAD 2422 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 100 सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
AT17C128-10NC Microchip Technology AT17C128-10NC -
सराय
ECAD 3971 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT17C128 तमाम नहीं है 4.75V ~ 5.25V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 तमाम 128KB
NSEC00K008-AT Insignis Technology Corporation NSEC00K008-AT -
सराय
ECAD 1036 0.00000000 अफ़रपदाहा - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 100-एलबीजीए Nsec00 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 3.3 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1982-1031 3A991B1A 8542.32.0071 98 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 ईएमएमसी -
IDT71P72804S167BQI Renesas Electronics America Inc IDT71P72804S167BQI -
सराय
ECAD 4182 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71P72 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71P72804S167BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 167 अय्यर सराय 18mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम