SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
C3D02060E Wolfspeed, Inc. C3D02060E 1.6000
सराय
 ECAD 13 0.00000000 वोलmuthun, इंक। जेड rayेक® नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 C3D02060 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 75 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 0 एनएस 50 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 120pf @ 0v, 1MHz
FGP20CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP20CHE3/73 -
सराय
 ECAD 8306 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FGP20 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 2 @a @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 2 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BAV70W-7-F-52 Diodes Incorporated BAV70W-7-F-52 0.0386
सराय
 ECAD 2440 0.00000000 तंग - थोक शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAV70 तमाम SOT-323 तंग 31-BAV70W-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 75 वी 300ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 2.5 @a @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-VS38DSR18M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS38DSR18M -
सराय
 ECAD 4961 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS38 - 112-वीएस-वीएस 38DSR18M 1
1N2987 Solid State Inc. 1N2987 6.5000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt 1N2987 १० सन्निक डीओ -4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N2987 Ear99 8541.10.0080 10 1.5 वी @ 2 ए
VS-E5PX3006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PX3006LHN3 3.1700
सराय
 ECAD 490 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 वीएस-वीएस 5 तमाम To-247ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-VS-E5PX3006LHN3 Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.1 वी @ 30 ए 41 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 30 ए -
MER1002FCT_T0_00601 Panjit International Inc. MER1002FCT_T0_00601 1.0100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu Mer1002 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 5 ए 950 mV @ 5 ए 35 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
US3GB-HF Comchip Technology US3GB-HF 0.1063
सराय
 ECAD 5741 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB US3G तमाम SMB/DO-214AA तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 641-US3GB-HFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
DB104G GeneSiC Semiconductor DB104G 0.1980
सराय
 ECAD 2293 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB104 तमाम तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) DB104GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
SS82Q Yangjie Technology SS82Q 0.2140
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-SS82QTR Ear99 3,000
P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2 3.3300
सराय
 ECAD 2523 0.00000000 ‘ पी 3 डी R टेप ray ryील (ther) शिर टू -252-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -252-2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 4237-P3D06008E2TR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 36 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22 ए
1PMT5939BT1G onsemi 1pmt5939bt1g -
सराय
 ECAD 2050 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-216aa 1pmt5939 ३.२० तमाम तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.25 वी @ 200 एमए 1 @a @ 29.7 V 39 वी 45 ओम
1N4005GP-TP Micro Commercial Co 1N4005GP-TP 0.0408
सराय
 ECAD 6338 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4005 तमाम Do-41 तंग 353-1N4005GP-TP Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
JANTXV1N4480DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n4480dus/tr 56.5650
सराय
 ECAD 5768 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/406 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sq-melf, a 1.5 डब डी -5 ए - 150-jantxv1n4480dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1.5 वी @ 1 ए ५० सदाबहार @ ३४.४ वी 43 वी 40 ओम
JAN1N4484DUS/TR Microchip Technology JAN1N4484DUS/TR 34.7550
सराय
 ECAD 1711 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/406 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sq-melf, a 1.5 डब डी -5 ए - 150-JAN1N4484DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 वी @ 1 ए 250 NA @ 49.6 V 62 वी 80 ओम
BZX84W-B6V2-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B6V2-QX 0.0422
सराय
 ECAD 5318 0.00000000 अफ़संद ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84W-Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 BZX84W 275 सभा SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1727-BZX84W-B6V2-QXTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
CD4567A Microchip Technology CD4567A 7.9200
सराय
 ECAD 4284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur शराबी शराबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CD4567A Ear99 8541.10.0050 1 2 @a @ 3 वी 6.4 वी 200 ओम
CMHZ4704 BK Central Semiconductor Corp CMHZ4704 BK -
सराय
 ECAD 5840 0.00000000 तिहाई - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग तमाम 1514-CMHz4704bk Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 100 एमए ५० सटीक @ १२. ९ 17 वी
JAN1N6761-1 Microchip Technology JAN1N6761-1 -
सराय
 ECAD 5246 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/586 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky Do-41 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 690 mV @ 1 ए 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 70pf @ 5v, 1MHz
JANS1N6350US/TR Microchip Technology JANS1N6350US/TR 165.0150
सराय
 ECAD 3977 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/533 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b ५०० तंग बी, एसकmun-एमईएलएफ - 150-JANS1N6350US/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.4 वी @ 1 ए 50 सना 120 वी 600 ओम
BZX85C5V1 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V1 R0G 0.0645
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए 1 µa @ 1.5 V 5.1 वी 10 ओम
BZT52C11-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C11-HE3_A-08 0.0533
सराय
 ECAD 3567 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52C11-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
CD5230B Microchip Technology CD5230B 1.4630
सराय
 ECAD 5796 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur शराबी ५०० तंग शराबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CD5230B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
NZX33A,133 NXP USA Inc. NZX33A, 133 0.0200
सराय
 ECAD 60 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर NZX3 - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000
BZX384C18-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C18-HE3-08 0.2600
सराय
 ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C18 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५० सटीक 18 वी 45 ओम
1N4750A TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4750A TR PBFREE 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
BAV19WS-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-HG3-08 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 gapa @ 100 वी 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
1N3827AUR-1/TR Microchip Technology 1n3827aur-1/tr 8.9400
सराय
 ECAD 1415 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1.5 डब DO-213AB (MELF, LL41) - Ear99 8541.10.0050 108 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 2 वी 5.6 वी 5 ओम
CMDZ13L TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMDZ13L TR PBFREE 0.6600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 Cmdz13 २५० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 1 µa @ 10.5 V 13 वी 80 ओम
ABZT52B7V5-HF Comchip Technology ABZT52B7V5-HF 0.0690
सराय
 ECAD 3262 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ABZT52 ५०० तंग सोद -123 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-ABZT52B7V5-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 900 पायल @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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