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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
ABS8HREG Taiwan Semiconductor Corporation Abs8hreg -
सराय
 ECAD 5247 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग ABS8 तमाम पेट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 950 एमवी @ 400 एमए 10 µa @ 800 V 800 सना हुआ सिंगल फेज़ 800 वी
VS-VSKJ71/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ71/14 36.0820
सराय
 ECAD 5535 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) VSKJ71 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKJ7114 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 1400 वी 40 ए 10 सना हुआ @ 1400 वी -40 ° C ~ 150 ° C
1N5621/TR Microchip Technology 1N5621/tr 4.7250
सराय
 ECAD 4466 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से ए, अकmun अक तमाम ए, अकmun अक तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N5621/tr Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.6 वी @ 3 ए 300 एनएस 500 NA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 20pf @ 12v, 1MHz
BZG05C51-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-HM3-08 0.4200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C51 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ३ ९ वी 51 वी 115 ओम
JANTX1N989DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n989dur-1/tr -
सराय
 ECAD 5691 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/117 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ४०० तंग Do-213aa तंग 150-jantx1n989dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.3 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ११४ ओ 150 वी 1500 ओम
JANTXV1N4978CUS Microchip Technology Jantxv1n4978cus 40.8900
सराय
 ECAD 1084 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/356 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b 5 डब ई-ई - तमाम 150-jantxv1n4978cus Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 2 @a @ 51.7 V 68 वी 50 ओम
US1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1D-E3/5AT 0.3800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27B180P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B180P-E3-18 0.1050
सराय
 ECAD 3595 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B180 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 180 वी 400 ओम
SK55AFL-TP Micro Commercial Co SK55AFL-TP 0.0900
सराय
 ECAD 8386 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur SK55 schottky DO-221AC (SMA-FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम SK55AFL-TPMSTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C 5 ए 210pf @ 4v, 1MHz
PZU4.7BL,315 Nexperia USA Inc. PZU4.7BL, 315 0.2900
सराय
 ECAD 10 0.00000000 अफ़संद सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-882 PZU4.7 २५० तंग DFN1006-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 80 ओम
BYW33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW33-tr 0.2673
सराय
 ECAD 4133 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BYW33 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.1 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
VS-20CTQ150-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150-1PBF -
सराय
 ECAD 7125 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 20CTQ150 schottky To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS20CTQ1501PBF Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 880 mV @ 10 ए 25 @a @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
BAS70LP-TP Micro Commercial Co BAS70LP-TP -
सराय
 ECAD 1774 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 BAS70 schottky SOD-882 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 70 वी 1 वी @ 15 सना हुआ 100 µa @ 50 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 70ma -
SK25A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK25A M2G -
सराय
 ECAD 2847 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK25 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MMBZ5235ELT1G onsemi Mmbz5235elt1g -
सराय
 ECAD 5217 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 २२५ सदाचार SOT-23-3 (to-236) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 5 वी 6.8 वी 5 ओम
1PGSMA4751HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4751HR3G -
सराय
 ECAD 6596 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4751 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 .a @ 22.8 V 30 वी 40 ओम
JANTX1N6322US/TR Microchip Technology Jantx1n6322us/tr 16.1861
सराय
 ECAD 8987 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/533 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur SQ-Melf, b ५०० तंग बी, एसकmun-एमईएलएफ तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantx1n6322us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.4 वी @ 1 ए 1 µa @ 6 वी 8.2 वी 5 ओम
BZX84C75-TP Micro Commercial Co BZX84C75-TP 0.0210
सराय
 ECAD 2499 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C75 ३५० तंग एसओटी -23 तंग 353-BZX84C75-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ५२.5 75 वी 255 ओम
PZM3.0NB1,115 NXP USA Inc. PZM3.0NB1,115 -
सराय
 ECAD 3742 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM3.0 ३०० तंग Smt3; तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
MM3Z10VST1 onsemi MM3Z10VST1 0.0200
सराय
 ECAD 1136 0.00000000 Onsemi - थोक शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 Sod -323 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
1N5380BG Fairchild Semiconductor 1N5380BG -
सराय
 ECAD 7314 0.00000000 सराय - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 5 डब AXIAL तंग Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 91.2 V 120 वी 170 ओम
CDLL3029B/TR Microchip Technology Cdll3029b/tr 13.7522
सराय
 ECAD 6418 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL3029B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ २.२ वी 24 वी 25 ओम
SS220-HF Comchip Technology SS220-HF 0.4300
सराय
 ECAD 34 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS220 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BAS716,115 Nexperia USA Inc. BAS716,115 0.3000
सराय
 ECAD 222 0.00000000 अफ़संद सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 Bas716 तमाम एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 2pf @ 0v, 1MHz
SR804HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR804HB0G -
सराय
 ECAD 9703 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR804 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8 ए -
CZRF52C16 Comchip Technology CZRF52C16 0.0805
सराय
 ECAD 6455 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) CZRF52 200 सभा 1005/SOD-323F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
BZT52B3V3LS-TP Micro Commercial Co BZT52B3V3LS-TP 0.0359
सराय
 ECAD 3704 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर ± 2.48% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B3 200 सभा सोड -323fl तंग तमाम 353-BZT52B3V3LS-TP Ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 1 वी 3.3 वी 120 ओम
1N5275B-1 Microchip Technology 1N5275B-1 3.3000
सराय
 ECAD 9088 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) - तमाम 150-1N5275B-1 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 200 एमए 100 kay @ 106 वी 140 वी 1300 ओम
1N4944-AP Micro Commercial Co 1N4944-AP -
सराय
 ECAD 8294 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4944 तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
2EZ91D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ91D10E3/TR8 -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 2EZ91 2 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 500 NA @ 69.2 V 91 वी 125 ओम
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AD9208BBPZ-3000

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