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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MTZJ24SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ24SB R0G 0.0305
सराय
 ECAD 5079 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj24 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सदाबहार @ वी वी 23.19 वी 35 ओम
CD5711V Microchip Technology CD5711V 1.8900
सराय
 ECAD 8016 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur शराबी schottky शराबी - तमाम 150-CD5711V Ear99 8541.10.0070 1 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 1 वी @ 15 सना हुआ 200 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C 15ma 2pf @ 0v, 1MHz
1N5380B/TR8 Microsemi Corporation 1N5380B/TR8 -
सराय
 ECAD 8740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5380 5 डब टी 18 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० पायल @ २६.४ सिपाही 120 वी 170 ओम
1N5371BE3/TR8 Microchip Technology 1N5371BE3/TR8 2.6850
सराय
 ECAD 1639 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5371 5 डब टी 18 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० सवार @ ४३ वी 60 वी 40 ओम
SCS205KGHRC Rohm Semiconductor SCS205KGHRC -
सराय
 ECAD 4632 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS205 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए 270pf @ 1V, 1MHz
PCDD1065G1_L2_00001 Panjit International Inc. PCD1065G1_L2_00001 4.2700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 PCDD1065 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-252AA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3757-PCDD1065G1_L2_00001DKR Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 70 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 364pf @ 1V, 1MHz
TZX4V7B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V7B-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 36 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX कट कट टेप (सीटी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX4V7 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 100 ओम
1N4741A SMC Diode Solutions 1N4741A -
सराय
 ECAD 3472 0.00000000 तदहेना - कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 200 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
1N5281BE3/TR Microchip Technology 1n5281be3/tr 3.3117
सराय
 ECAD 3400 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N5281BE3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 152 वी
SMBJ5925B/TR13 Microchip Technology SMBJ5925B/TR13 1.5600
सराय
 ECAD 8627 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBJ5925 2 डब SMBJ (DO-214AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8 V 10 वी 4.5 ओम
MBRB20100CTS Yangjie Technology MBRB20100CTS 0.3550
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB schottky टू -263 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-MBRB20100CTSTR Ear99 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
IDK02G120C5XTMA1 Infineon Technologies IDK02G120C5XTMA1 3.7900
सराय
 ECAD 8160 0.00000000 इंफीनन टेक S कूलth ™+ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB IDK02G120 Sic (सिलिकॉन antairchama) पीजी-पीजी 263-2-1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 2156-IDK02G120C5XTMA1-448 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.65 वी @ 2 ए 18 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 11.8a 182pf @ 1V, 1MHz
EGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34G-E3/98 0.4100
सराय
 ECAD 2431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213aa (गthama) EGL34 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.35 वी @ 500 एमए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7PF @ 4V, 1MHz
HZS11A3TD-E Renesas Electronics America Inc Hzs11a3td-e 0.1700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 1
SBR5E60P5-13D Diodes Incorporated SBR5E60P5-13D 0.1740
सराय
 ECAD 8846 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Powerdi ™ 5 SBR5E60 सराय Powerdi ™ 5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 60 वी 520 mV @ 5 ए 220 @a @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZV55C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C75 0.0333
सराय
 ECAD 7563 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55C75TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 56 वी 75 वी 170 ओम
TSZL52C3V0-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V0-F0 RWG -
सराय
 ECAD 8750 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C3V0-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 50 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
JANS1N4469US Semtech Corporation JANS1N4469US -
सराय
 ECAD 7657 0.00000000 अफ़सतर MIL-PRF-19500/406 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sq-melf - तंग 600-JANS1N4469US Ear99 8541.10.0050 1 50 सना 15 वी 9 ओम
BZX79-C18,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C18,113 0.1600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 अफ़संद - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79-C18 ४०० तंग Alf2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सटीक 18 वी 45 ओम
SS19LH Taiwan Semiconductor Corporation SS19LH 0.2235
सराय
 ECAD 9737 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SS19 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SS19LHTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BYD33MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33MBULK 0.2100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD3333MBULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 300 एनएस 1 @a @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.3 ए -
JAN1N3040B-1/TR Microchip Technology JAN1N3040B-1/TR 8.3524
सराय
 ECAD 2357 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/115 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-JAN1N3040B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
BZX84-B4V3-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B4V3-QVL 0.0314
सराय
 ECAD 5784 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग टू -236 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1727-BZX84-B4V3-QVLTR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
JANTX1N3647.TR Semtech Corporation Jantx1n3647.tr -
सराय
 ECAD 6563 0.00000000 अफ़सतर MIL-PRF-19500/279 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से AXIAL तमाम AXIAL तंग 600-jantx1n3647.tr Ear99 8541.10.0080 250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 3000 वी 5 वी @ 250 एमए 2.5 µs 1 µA @ 3000 V -65 ° C ~ 175 ° C 600ma 8PF @ 5V, 1MHz
BZX84B36W Yangjie Technology BZX84B36W 0.0180
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX84B36WTR Ear99 3,000
SS12LS Taiwan Semiconductor Corporation SS12LS 0.1418
सराय
 ECAD 1451 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h SS12 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SS12LSTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
1N6660D Microchip Technology 1N6660D 183.2850
सराय
 ECAD 8216 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से TO-254-3, TO-254AA 1N6660 schottky TO-254AA - तमाम 150-1N6660D Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 45 वी 15 ए 750 mV @ 15 ए 1 पायल @ 45 वी -65 ° C ~ 150 ° C
1N5809URS/TR Microchip Technology 1N5809URS/TR 34.3200
सराय
 ECAD 7656 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SQ-Melf, b तमाम बी, एसकmun-एमईएलएफ - 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 875 mV @ 4 ए 30 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 60pf @ 10v, 1MHz
BZX84B4V3Q Yangjie Technology BZX84B4V3Q 0.0290
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX84B4V3QTR Ear99 3,000
MUR110SHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Mur110shr5g -
सराय
 ECAD 4583 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Mur110 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 875 mV @ 1 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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