SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS18AQ Yangjie Technology SS18AQ 0.0500
सराय
 ECAD 750 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-SS18AQTR Ear99 7,500
DD600S65K3NOSA1 Infineon Technologies DD600S65K3NOSA1 1.0000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर अँगुला कांपना DD600S65 तमाम A-IHV130-6 तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 2 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 6500 वी - 3.5 वी @ 600 ए 900 ए @ 3600 वी -50 ° C ~ 125 ° C
VS-3EGU06WHM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EGU06WHM3/5BT 0.1769
सराय
 ECAD 4597 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB 3EGU06 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.35 वी @ 3 ए 65 एनएस 3 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
SB15100-TP Micro Commercial Co SB15100-TP -
सराय
 ECAD 2522 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB15100 Do-201ad - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 353-SB15100-TPTR Ear99 8541.10.0080 500
SK55LHE3-TP Micro Commercial Co SK55LHE3-TP 0.1643
सराय
 ECAD 4653 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक तंग सतह rurcur DO-214AB, SMC SK55 schottky SMC (DO-214AB) तंग 353-SK55LHE3-TP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 750 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 200pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N6761-1 Microchip Technology Jantx1n6761-1 -
सराय
 ECAD 6277 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/586 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky Do-41 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 690 mV @ 1 ए 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 70pf @ 5v, 1MHz
HS3ABF Yangjie Technology Hs3abf 0.0720
सराय
 ECAD 500 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-HS3ABFTR Ear99 5,000
1N6642UB2R/TR Microchip Technology 1n6642ub2r/tr 37.2400
सराय
 ECAD 5754 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 100
US1J SMC Diode Solutions Us1j 0.1200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तदहेना - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1 तमाम SMA (DO-214AC) - 1 (असीमित) Ear99 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 45pf @ 4v, 1MHz
SIDC07D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC07D60F6X7SA1 -
सराय
 ECAD 4786 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक शिर सतह rurcur शराबी SIDC07D60 तमाम शराबी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.6 वी @ 22.5 ए 27 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 22.5a -
PR1005-T Diodes Incorporated PR1005-T 0.0400
सराय
 ECAD 3665 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut PR1005 तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
CDLL4733A/TR Microchip Technology Cdll4733a/tr 2.7664
सराय
 ECAD 1434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-cdll4733a/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
BZX84-C62-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C62-QR 0.0319
सराय
 ECAD 3250 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग टू -236 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1727-BZX84-C62-QRTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ४३.४ वी 62 वी 215 ओम
CDLL5937D/TR Microchip Technology Cdll5937d/tr 10.5868
सराय
 ECAD 9978 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf 1.25 डब Do-213ab - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL5937D/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 25.1 V 33 वी 33 ओम
V2PL45L-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pl45l-m3/h 0.4000
सराय
 ECAD 744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA V2pl45 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 530 mV @ 2 ए 300 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए 390pf @ 4v, 1MHz
ESH1PCHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PCHM3/85A 0.1681
सराय
 ECAD 7196 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA Esh1 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 25 एनएस 1 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
CDLL4731C/TR Microchip Technology Cdll4731c/tr 5.4750
सराय
 ECAD 2909 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1 डब DO-213AB (MELF, LL41) - तमाम 150-CDLL4731C/TR Ear99 8541.10.0050 173 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 4.3 वी 9 ओम
BZD27C68PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PH 0.2933
सराय
 ECAD 8957 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C68PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
S1M-AQ-CT Diotec Semiconductor S1M-AQ-CT 0.1972
सराय
 ECAD 8826 0.00000000 सोर - कांपना शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 एम तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2721-S1M-AQ-CT 8541.10.0000 30 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 5 µA @ 1 वी -50 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SF61G-BP Micro Commercial Co SF61G-BP 0.1948
सराय
 ECAD 4641 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF61 तमाम Do-201ad तंग 353-SF61G-BP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 975 mV @ 6 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 120pf @ 4v, 1MHz
MBR10L100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR10L100CTH 0.6996
सराय
 ECAD 6139 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR10 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBR10L100CTH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 850 mV @ 10 ए 20 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SSL510 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SSL510 0.4500
सराय
 ECAD 7913 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 680pf @ 4v, 1MHz
V10PWL45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pwl45hm3/i 0.3531
सराय
 ECAD 5284 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-V10PWL45HM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 520 mV @ 10 ए 1.5 सना -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए 2190pf @ 4v, 1MHz
NTE6356 NTE Electronics, Inc NTE6356 68.1300
सराय
 ECAD 4416 0.00000000 इलेक इलेकmuniraugut, इंक - कसना शिर अफ़सीर Do-203aa, do-9, s सcunt तमाम Do-9 तंग Rohs3 आजthabaira 2368-NTE6356 Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 40 सना हुआ @ 600 वी -40 ° C ~ 180 ° C 300 ए -
VI40100G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40100G-M3/4W 0.9691
सराय
 ECAD 9994 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VI40100 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 810 mV @ 20 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
DSS6-0045AS-TUB IXYS DSS6-0045AS-TUB -
सराय
 ECAD 9929 0.00000000 Ixys - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 DSS6 schottky TO-252AA - Rohs3 आजthabaira तमाम 238-DSS6-0045AS-TUB Ear99 8541.10.0080 70 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 6 ए 250 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 497PF @ 5V, 1MHz
US1M_R1_00001 Panjit International Inc. US1M_R1_00001 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1M तमाम SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 100 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
MURS160A-13 Diodes Incorporated MURS160A-13 0.4400
सराय
 ECAD 9752 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम एसएमए तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 13pf @ 4v, 1MHz
VS-MT230BD16CCB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MT230BD16CCB -
सराय
 ECAD 3732 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर वीएस-वीएस 230 - Rohs3 आजthabaira 112-एमटी-एमटी 230BD16CCB 1
JANS1N6487C Microchip Technology JANS1N6487C -
सराय
 ECAD 7722 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/406 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 35 µA @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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