SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
ES2D-13 Diodes Incorporated ES2D-13 -
सराय
ECAD 2904 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB ES2D तमाम एसएमबी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
EDZFTE615.1B Rohm Semiconductor Edzfte615.1b -
सराय
ECAD 1525 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE615.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
1N714 Microchip Technology 1N714 2.7150
सराय
ECAD 7193 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 10% - होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N714 २५० तंग DO-35 - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 10 वी 8 ओम
MMBD701 Fairchild Semiconductor MMBD701 0.0600
सराय
ECAD 18 0.00000000 सराय - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (to-236) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 280 सभा 1pf @ 20V, 1MHz Schottky - एकल 70V -
SMBG5934C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5934C/TR13 -
सराय
ECAD 1792 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग Smbg5934 2 डब SMBG (DO-215AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 18.2 V 24 वी 19 ओम
SS25 Taiwan Semiconductor Corporation SS25 -
सराय
ECAD 3197 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB schottky DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS25TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZX84B2V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B2V7-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 2115 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B2V7-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
2EZ5.6D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ5.6D5E3/TR8 -
सराय
ECAD 6019 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 2ez5.6 2 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 5.6 वी 2.5 ओम
1N5538C Microchip Technology 1N5538C 11.3550
सराय
ECAD 2896 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) - तमाम 150-1N5538C Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 16.2 18 वी 100 ओम
RGP10K-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10K-M3/73 -
सराय
ECAD 3773 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
HZU8.2B2TRF-E Renesas Electronics America Inc HZU8.2B2TRF-E 0.1300
सराय
ECAD 91 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 3,000
ZMM22R13 Diotec Semiconductor ZMM22R13 0.0304
सराय
ECAD 6923 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग सोड -80 सी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2796-ZMM22R13TR 8541.10.0000 10,000 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
STTH3006D STMicroelectronics STTH3006D -
सराय
ECAD 4458 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 STTH30 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 497-6091-5 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.85 वी @ 30 ए 70 एनएस 25 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
MMSZ5257B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5257B 0.0433
सराय
ECAD 5398 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5257 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMSZ5257BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 25 वी 33 वी 58 ओम
1N4567AE3/TR Microchip Technology 1N4567AE3/tr 4.2750
सराय
ECAD 2801 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग तमाम 150-1N4567AE3/tr Ear99 8541.10.0050 222 2 @a @ 3 वी 6.4 वी 200 ओम
1N4960US/TR Microchip Technology 1N4960US/TR 7.4613
सराय
ECAD 3206 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b 5 डब बी, एसकmun-एमईएलएफ - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N4960US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 10 µa @ 9.1 V 12 वी 2.5 ओम
CDLL4132/TR Microchip Technology Cdll4132/tr 3.3516
सराय
ECAD 4003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf ५०० तंग Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL4132/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए ५० सना 82 वी 800 ओम
ES1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL RQG -
सराय
ECAD 8616 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
1N4624 Microchip Technology 1N4624 2.3275
सराय
ECAD 2252 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AA, DO-7, SAUTCUN ५०० तंग DO-7 (DO-204AA) - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N4624 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 4.7 वी 1550 ओम
1N5227BE3/TR Microchip Technology 1N5227BE3/tr 2.5669
सराय
ECAD 4330 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N5227BE3/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 200 एमए 15 µa @ 1 वी 3.6 वी 24 ओम
V40PWM63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40pwm63chm3/i 0.6821
सराय
ECAD 5595 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-V40PWM63CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 740 mV @ 20 ए 30 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
MM3Z12VT1G onsemi Mm3z12vt1g 0.1800
सराय
ECAD 9681 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 MM3Z12 ३०० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
ES1E-HF Comchip Technology Es1e-hf 0.0776
सराय
ECAD 9404 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA ES1E तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-ES1E-HFTR Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
JAN1N753CUR-1 Microchip Technology JAN1N753CUR-1 11.3850
सराय
ECAD 1170 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/127 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) 1N753 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3.5 V 6.2 वी 7 ओम
JANTXV1N6765R Microchip Technology Jantxv1n6765r -
सराय
ECAD 8622 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से TO-254-3, TO-254AA (लीड लीड) तमाम To-254 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 12 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी - 12 ए 300pf @ 5v, 1MHz
GBU4A GeneSiC Semiconductor Gbu4a 1.4500
सराय
ECAD 348 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU4 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 4 ए 5 µa @ 50 वी 4 ए सिंगल फेज़ 50 वी
BZX584B10VQ Yangjie Technology BZX584B10VQ 0.0290
सराय
ECAD 800 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX584B10VQTR Ear99 8,000
BZX84-C6V2,215 NXP USA Inc. BZX84-C6V2,215 0.0200
सराय
ECAD 363 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर BZX84 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
S1J-CT Diotec Semiconductor S1J-CT 0.2412
सराय
ECAD 7 0.00000000 सोर - कांपना शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 जे तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2721-S1J-CT 8541.10.0000 30 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 5 µA @ 600 V -50 ° C ~ 150 ° C 1 क -
1N3003A Solid State Inc. 1N3003A 6.5000
सराय
ECAD 40 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) अफ़सीर Do-203aa, do-4, s सmunt 1N3003 १० सन्निक डीओ -4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N3003A Ear99 8541.10.0080 10 1.5 वी @ 2 ए 5 @a @ 59 V 82 वी 25 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम