SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
DB2W40200L Panasonic Electronic Components DB2W40200L -
सराय
ECAD 8062 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur सोद -123F DB2W402 schottky मिनी 2-एफ 3-बी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 470 mV @ 2 ए 15 एनएस 250 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए 50pf @ 10v, 1MHz
JANTXV1N4465D Microchip Technology Jantxv1n4465d 38.4450
सराय
ECAD 2273 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/406 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4465 1.5 डब Do-41 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1 वी @ 200 एमए ३०० सदाबहार @ वी वी 10 वी 5 ओम
VS-ETX1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETX1506S-M3 0.7542
सराय
ECAD 9155 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® थोक शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB ETX1506 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsetx1506sm3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.4 वी @ 15 ए 20 एनएस 36 @a @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
BZX84C5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V6-HE3-18 0.0313
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5V6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
DBF10G Sanyo Dbf10g 0.2200
सराय
ECAD 3172 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, डीबीएफ तमाम - तंग तंग Ear99 8541.10.0080 100 1.05 वी @ 500 एमए 10 µA @ 600 V 1 ए सिंगल फेज़ 600 वी
SMBJ4743/TR13 Microchip Technology SMBJ4743/TR13 0.8700
सराय
ECAD 2382 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBJ4743 2 डब SMBJ (DO-214AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
MSDM150-08 Microsemi Corporation MSDM150-08 -
सराय
ECAD 3773 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला कांपना तमाम एम 2-1 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 1.4 वी @ 150 ए 500 µA @ 800 V 150 ए तीन फ़ेज़ 800 वी
ES3C Diotec Semiconductor ES3C 0.3686
सराय
ECAD 3595 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम SMC (DO-214AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 2796-ES3CTR 8541.10.0000 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 5 µa @ 150 V -50 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
GC4731-150C Microchip Technology GC4731-150C -
सराय
ECAD 6944 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C शराबी चिप - तमाम 150-GC4731-150CTR Ear99 8541.10.0040 1 2 डब 0.1pf @ 6v, 1MHz पिन - एकल 15V 2ohm @ 10ma, 100mHz
CGRTS4002-HF Comchip Technology CGRTS4002-HF 0.0690
सराय
ECAD 1918 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F Cgrts4002 तमाम TS/SOD-123FL तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6pf @ 4v, 1MHz
DZ23C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V0-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 4388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C3V0-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 3 वी 80 ओम
1N5388E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5388E3/TR12 -
सराय
ECAD 4886 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5388 5 डब टी 18 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० पायल @ १४४ ओ 200 वी 480 ओम
1N4728A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4728A-T -
सराय
ECAD 9169 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4728 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 400 ओम
BZX84C24WQ Yangjie Technology BZX84C24WQ 0.0280
सराय
ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX84C24WQTR Ear99 3,000
CMF02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF02 (TE12L, Q, M) -
सराय
ECAD 3945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 CMF02 तमाम एम-फ - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) CMF02 (TE12LQM) Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 1 ए 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 1 क -
JANTXV1N4465CUS Microchip Technology Jantxv1n4465cus 30.8850
सराय
ECAD 1392 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sq-melf, a 1.5 डब डी -5 ए - तमाम 150-jantxv1n4465cus Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए ३०० सदाबहार @ वी वी 10 वी 5 ओम
3EZ43D5-TP Micro Commercial Co 3EZ43D5-TP 0.1020
सराय
ECAD 6696 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 3EZ43 3 डब DO-15 तंग 353-3EZ43D5-TP Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 500 NA @ 32.7 V 43 वी 33 ओम
1SMA5940H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940H 0.0995
सराय
ECAD 5491 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5940 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
1N5925APE3/TR12 Microchip Technology 1N5925APE3/TR12 0.9150
सराय
ECAD 3784 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5925 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8 V 10 वी 4.5 ओम
BZG05C5V6-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V6-E3-TRE -
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 7 ओम
RD13E-TB Renesas Electronics America Inc RD13E-TB 0.0600
सराय
ECAD 32 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 1
ESH3C M6 Taiwan Semiconductor Corporation Esh3c m6 -
सराय
ECAD 6018 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ESH3CM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
CD982B Microchip Technology CD982B 1.5029
सराय
ECAD 5021 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur शराबी ५०० तंग शराबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-बी 982 बी Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 200 एमए ५०० सना 75 वी 270 ओम
BZD27C7V5PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMTG -
सराय
ECAD 3606 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
1N4733AUR Microchip Technology 1N4733AUR 3.4650
सराय
ECAD 4736 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf 1N4733 1 डब Do-213ab तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
2M6.8ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8zha0g -
सराय
ECAD 9128 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M6.8 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1 पायल @ 5.5 वी 6.8 वी 1.5 ओम
BZX584B10VQ Yangjie Technology BZX584B10VQ 0.0290
सराय
ECAD 800 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX584B10VQTR Ear99 8,000
JAN1N4122D-1/TR Microchip Technology JAN1N4122D-1/TR 11.7838
सराय
ECAD 5685 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/435 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-JAN1N4122D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 27.4 वी 36 वी 200 ओम
CDBZ0130R-A1HF Comchip Technology CDBZ0130R-A1HF -
सराय
ECAD 9417 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) schottky 0201/DFN0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-CDBZ0130R-A1HFTR Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 850 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 30 V 125 ° C 100ma -
BY550-100 Diotec Semiconductor BY550-100 0.0897
सराय
ECAD 32 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-2010, DO-27, SAUTCUN तमाम DO-2010 तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2796-BY550-100TR 8541.10.0000 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 5 ए 1.5 µs 5 µA @ 100 वी -50 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम