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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N2977A Microchip Technology 1N2977A 36.9900
सराय
 ECAD 6378 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 1N2977 १० सन्निक Do-213aa तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 2 ए 10 µa @ 9.9 V 13 वी 3 ओम
BZX84-C20/DG/B4R Nexperia USA Inc. BZX84-C20/DG/B4R -
सराय
 ECAD 9905 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग टू -236 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 934070242215 Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
BZX584C4V7-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C4V7-VG-08 -
सराय
 ECAD 9953 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX584C-VG R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
SMBG5354B/TR13 Microchip Technology SMBG5354B/TR13 2.2500
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग SMBG5354 5 डब SMBG (DO-215AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 12.2 V 17 वी 2.5 ओम
BZG05B56-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B56-M3-08 0.1980
सराय
 ECAD 5886 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B56 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ४३ वी 56 वी 120 ओम
DB105-BP Micro Commercial Co Db105-bp 1.0800
सराय
 ECAD 24 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.321 ", 8.15 मिमी) DB105 तमाम डीबी 1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 1 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BAT54 Yangjie Technology BAT54 0.0150
सराय
 ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BAT54TR Ear99 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
CZRER22VB-HF Comchip Technology CZRER22VB-HF -
सराय
 ECAD 2653 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur ०५०३ (१३० मीट मीटthurिक) १५० तंग 0503/SOD-723F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 17 वी 22 वी 55 ओम
SK510C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK510C M6 -
सराय
 ECAD 7007 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK510CM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 5 ए 300 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
1N5364CE3/TR8 Microchip Technology 1N5364CE3/TR8 3.3900
सराय
 ECAD 4736 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5364 5 डब टी 18 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 23.8 V 33 वी 10 ओम
KBU806 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Kbu806 0.8000
सराय
 ECAD 4806 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - कड़ा शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-e, केबु तमाम KBU तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 400 1.1 वी @ 4 ए 10 µA @ 600 V 8 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZV55B12 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 L1G -
सराय
 ECAD 2153 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
BZT52B3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-G3-08 0.3800
सराय
 ECAD 59 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B3V3 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3.3 वी 80 ओम
R3420 Microchip Technology R3420 36.6600
सराय
 ECAD 6817 0.00000000 तमाम अरे 34 थोक शिर अफ़सीर Do-203ab, do-5, s सmunt R3420 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.15 V @ 90 ए 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 200 ° C 45 ए -
CD214B-B2100R Bourns Inc. CD214B-B2100R 0.2025
सराय
 ECAD 7888 0.00000000 सराय - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CD214b schottky 2-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 200 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 115pf @ 4v, 1MHz
BAS21C_R1_00001 Panjit International Inc. BAS21C_R1_00001 0.2100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3757-BAS21C_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 250 वी 200MA 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 150 ° C
SR5010H-AP Micro Commercial Co SR5010H-AP 0.1706
सराय
 ECAD 5891 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR5010 schottky Do-201ad तंग 353-SR5010H-AP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 एमवी @ 5 ए 20 µA @ 100 वी -50 ° C ~ 175 ° C 5 ए 200pf @ 4V, 1MHz
1N7053-1 Microchip Technology 1N7053-1 7.1700
सराय
 ECAD 2671 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 10% - होल के kaytaumauth से DO-204AA, DO-7, SAUTCUN 1N7053 २५० तंग Do-7 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 4.8 वी 35 ओम
1N5928PE3/TR12 Microchip Technology 1N5928PE3/TR12 0.9150
सराय
 ECAD 8081 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5928 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.9 V 13 वी 7 ओम
JANS1N6311DUS Microchip Technology JANS1N6311DUS 356.3550
सराय
 ECAD 2811 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/533 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur SQ-Melf, b 1N6311 ५०० तंग बी, एसकmun-एमईएलएफ - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.4 वी @ 1 ए 30 µA @ 1 वी 3 वी 29 ओम
1N966BE3 Microchip Technology 1N966BE3 2.0083
सराय
 ECAD 8396 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AA, DO-7, SAUTCUN ५०० तंग DO-7 (DO-204AA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N966BE3 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 5 @a @ 12.2 V 16 वी 17 ओम
TUAU4KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau4kh 0.2319
सराय
 ECAD 7545 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tuau4 तमाम Smpc4.6u तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TUAU4KHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.9 वी @ 4 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 33pf @ 4v, 1MHz
PZU11B3A-QX Nexperia USA Inc. PZU11B3A-QX 0.0521
सराय
 ECAD 9066 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 ३२० तंग Sod -323 तंग Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 100 µa @ 8 V 11.33 वी 10 ओम
MUR4L40 Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l40 0.2730
सराय
 ECAD 2833 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun Mur4l40 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.28 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
SE100PWD-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se100pwd-m3/i 0.2673
सराय
 ECAD 6515 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE100 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.14 वी @ 10 ए 2.6 ग्रोन्स 20 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 78pf @ 4v, 1MHz
CDLL5525A/TR Microchip Technology Cdll5525a/tr 5.9052
सराय
 ECAD 3703 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf ५०० तंग Do-213ab - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL5525A/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 4.5 V 6.2 वी 30 ओम
V7NL63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V7nl63hm3/i 0.6200
सराय
 ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन V7nl63 schottky DFN3820A तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 7 ए 110 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.6 ए 1150pf @ 4V, 1MHz
ES2DHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DHR5G -
सराय
 ECAD 7916 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB ES2D तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
APTDF200H120G Microchip Technology APTDF200H120G 138.5800
सराय
 ECAD 8562 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) अँगुला एसपी 6 Aptdf200 तमाम एसपी 6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 3 वी @ 200 ए 150 @a @ 1200 V 235 ए सिंगल फेज़ 1.2 केवी
SMBG4738CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4738CE3/TR13 -
सराय
 ECAD 3246 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग Smbg4738 2 डब SMBG (DO-215AA) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 6 V 8.2 वी 4.5 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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