SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZT55B2V4-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B2V4-GS08 0.0433
सराय
 ECAD 1626 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B2V4 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
PZM6.2NB3,115 NXP USA Inc. PZM6.2NB3,115 -
सराय
 ECAD 4654 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM6.2 ३०० तंग Smt3; तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 15 ओम
MBRB1535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1535CTHE3/45 -
सराय
 ECAD 9566 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB15 schottky To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 7.5a 570 mV @ 7.5 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
JANS1N6339D Microchip Technology JANS1N6339D 350.3400
सराय
 ECAD 4336 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/533 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) - तमाम 150-JANS1N6339D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 वी @ 1 ए 50 सना 43 वी 65 ओम
BZT52B27-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B27-HE3_A-18 -
सराय
 ECAD 8405 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B27-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
BAS19-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Bas19-au_r1_000a1 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 पंजित rurनेशनल इंक। सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas19 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3757-BAS19-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 100 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
MBRB2550CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/81 -
सराय
 ECAD 3926 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB25 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 15 ए 750 mV @ 15 ए 1 सना हुआ @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C
JANS1N5811URS Microchip Technology Jans1n5811urs 147.4800
सराय
 ECAD 5062 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/477 थोक शिर सतह rurcur SQ-Melf, b तमाम बी, एसकmun-एमईएलएफ - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 875 mV @ 4 ए 30 एनएस -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
MBRB20200CTHS-TP Micro Commercial Co MBRB20200CTHS-TP 0.7049
सराय
 ECAD 2853 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB20200 schottky D2PAK तंग 353-MBRB20200CTHS-TP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 950 mV @ 10 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZX84C16 Diotec Semiconductor BZX84C16 0.0301
सराय
 ECAD 4229 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग SOT-23-3 (to-236) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 2796-BZX84C16TR 8541.10.0000 3,000 50 सना 16 वी 40 ओम
JANTXV1N6872UTK2CS Microchip Technology Jantxv1n6872utk2cs 521.6100
सराय
 ECAD 2589 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/469 थोक शिर सतह rurcur Thinkey ™ 2 तमाम Thinkey ™ 2 - तमाम 150-jantxv1n6872utk2cs Ear99 8541.10.0070 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 वी @ 400 एमए -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
1N5818/TR Microchip Technology 1N5818/tr 6.1500
सराय
 ECAD 8450 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AL, DO041, SAUSCUNT शोट्की, रयरी Do-41 - तमाम 150-1N5818/tr Ear99 8541.10.0080 154 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZX384-C6V8,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C6V8,115 0.2100
सराय
 ECAD 12 0.00000000 अफ़संद BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384 ३०० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
AMMSZ5262A-HF Comchip Technology AMMSZ5262A-HF 0.0725
सराय
 ECAD 9337 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 AMMSZ5262 ५०० तंग सोद -123 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 641-AMMSZ5262A-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 39 वी 51 वी 125 ओम
SR302-AP Micro Commercial Co SR302-AP 0.1166
सराय
 ECAD 2569 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक तंग होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR302 schottky Do-201ad तंग 353-SR302-AP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 20 वी -50 ° C ~ 125 ° C 3 ए 180pf @ 4v, 1MHz
BZG05B43-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B43-E3-TR -
सराय
 ECAD 5886 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ३३ वी 43 वी 50 ओम
MBRB16H35HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H35HE3_B/I 0.7920
सराय
 ECAD 5344 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB16 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 660 mV @ 16 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
BZX584B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 0.0639
सराय
 ECAD 4994 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B11TR Ear99 8541.10.0050 104,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
MBRF7H35HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF7H35HE3/45 -
सराय
 ECAD 3746 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब MBRF7 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 630 mV @ 7.5 ए 50 µa @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
1N5242B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5242B-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5242 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
GBU15D GeneSiC Semiconductor GBU15D 0.6120
सराय
 ECAD 9784 0.00000000 अफ़र्याशियस - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU15 तमाम जीबीयू तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) GBU15DGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 वी @ 15 ए 5 µa @ 200 वी 15 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1SS389-G Comchip Technology 1SS389-G 0.2500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 10 वी 500 एमवी @ 100 एमए 20 µa @ 10 V -40 ° C ~ 100 ° C 100ma 40pf @ 0v, 1MHz
BZG05C39TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C39TR -
सराय
 ECAD 2421 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay - -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ३० वी 39 वी 1000 ओम
1N5742B Microchip Technology 1N5742B 1.8600
सराय
 ECAD 1523 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5742 ५०० तंग DO-35 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 18 वी 45 ओम
PTZTFTE252.7B Rohm Semiconductor PTZTFTE252.7B 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 200 @a @ 1 वी 2.9 वी 15 ओम
JANTXV1N754AUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n754aur-1/tr 6.7830
सराय
 ECAD 5696 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/127 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) ५०० तंग Do-213aa - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantxv1n754aur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 5 ओम
BZD17C5V1P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C5V1P-E3-18 0.1475
सराय
 ECAD 4440 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD17C5V1 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 5.1 वी
MSASC25W100KV/TR Microchip Technology Msasc25w100kv/tr 252.1950
सराय
 ECAD 8483 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Thinkey ™ 2 schottky Thinkey ™ 2 - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-msasc25w100kv/tr Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 910 mV @ 25 ए 500 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
IDB30E60ATMA1 Infineon Technologies IDB30E60ATMA1 1.3066
सराय
 ECAD 5350 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB IDB30 तमाम पीजी-पीजी 263-3-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 30 ए 126 एनएस 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 52.3 ए -
MUR4100 Yangjie Technology Mur4100 0.1100
सराय
 ECAD 250 0.00000000 तंग - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad - रोहस अफ़मार तमाम 4617-MUR4100TB Ear99 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.85 वी @ 4 ए 75 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 50pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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