SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
CDLL4920 Microchip Technology CDLL4920 34.3800
सराय
 ECAD 6155 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa CDLL4920 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 12 वी 19.2 वी 300 ओम
BAV21TR Fairchild Semiconductor Bav21tr -
सराय
 ECAD 4263 0.00000000 सराय - थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BAV21 तमाम DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
Z3SMC62 Diotec Semiconductor Z3SMC62 0.2393
सराय
 ECAD 4124 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 3 डब SMC (DO-214AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2796-Z3SMC62TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 28 V 62 वी 25 ओम
1N3161R Solid State Inc. 1N3161R 21.0000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum तंग, तमाम Do-9 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N3161R Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 240 ए 75 @a @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 240A -
ACZRW5252B-G Comchip Technology Aczrw5252b-g 0.0556
सराय
 ECAD 5394 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 ACZRW5252 ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 33 ओम
JANTX1N5543D-1 Microchip Technology Jantx1n5543d-1 27.2250
सराय
 ECAD 8324 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/437 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5543 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 22.4 25 वी 100 ओम
JANTXV1N6490C Microchip Technology Jantxv1n6490c -
सराय
 ECAD 9554 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/406 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
BZD27C43P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C43P-E3-08 0.4100
सराय
 ECAD 4251 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C43 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
BZT52B2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-E3-08 0.3200
सराय
 ECAD 6602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B2V7 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2.7 वी 75 ओम
S2GHE3-LTP Micro Commercial Co S2GHE3-LTP 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 जी तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 353-S2GHE3-LTPTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 2 ए 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
CDBQC43-HF Comchip Technology CDBQC43-HF -
सराय
 ECAD 6471 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) schottky 0402C/SOD-923F तंग 641-CDBQC43-HFTR Ear99 8541.10.0070 1 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 200 एमए 5 एनएस ५०० सदाबहार @ २५ -65 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
1SS355-H Formosa Microsemi Co., Ltd. 1SS355-H 0.0810
सराय
 ECAD 3 0.00000000 शेरसहमिती। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1SS355 तमाम Sod -323f - रोहस अफ़मार 4491-1SS355-HTR 10 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 100ma 3PF @ 500MV, 1MHz
MBR10100CT Yangjie Technology MBR10100CT 0.3040
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तंग - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1010 schottky टू -220 एबी - रोहस अफ़मार तमाम 4617-MBR10100CT Ear99 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 850 mV @ 5 ए 200 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
3N259-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N259-M4/51 -
सराय
 ECAD 6269 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम 3N259 तमाम KBPM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1.1 वी @ 3.14 ए 5 µA @ 1000 V 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
BZT52-B47J Nexperia USA Inc. BZT52-B47J 0.2400
सराय
 ECAD 884 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.91% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) सतह rurcur सोद -123 BZT52 ५ ९ ० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 90 ओम
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
सराय
 ECAD 1671 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 CUS10I40 schottky यूएस-फ तंग रोहस अफ़मार CUS10I40A (TE85LQM Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 490 एमवी @ 700 एमए 60 @a @ 40 v 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 35pf @ 10v, 1MHz
DB2431200L Panasonic Electronic Components DB2431200L -
सराय
 ECAD 7128 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur सोद -128 DB24312 schottky TMINIP2-F2-B - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 510 mV @ 5 ए 23 एनएस 300 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए 74pf @ 10v, 1MHz
D2020L Littelfuse Inc. D2020L -
सराय
 ECAD 9706 0.00000000 Littelfuse Inc. - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब D2020 तमाम To-220 थलग-टैब टैब तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.6 वी @ 12.7 ए ए 4 μs -40 ° C ~ 125 ° C 12.7 ए -
GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 10.5555
सराय
 ECAD 4584 0.00000000 अफ़र्याशियस SIC SCHOTTKY MPS ™ नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 GC2X15 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) तमाम 1242-1333 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 75 ए (डीसी) 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 14 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
SMBJ5353C/TR13 Microchip Technology SMBJ5353C/TR13 2.1900
सराय
 ECAD 6774 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBJ5353 5 डब SMBJ (DO-214AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µA @ 11.5 V 16 वी 2.5 ओम
BZG05C39-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C39-HM3-08 0.1172
सराय
 ECAD 1942 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C39 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ३० वी 39 वी 50 ओम
SS1FL3HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss1fl3hm3/i 0.1069
सराय
 ECAD 7198 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS1FL3 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 130pf @ 4v, 1MHz
R5030218FSWA Powerex Inc. R5030218FSWA -
सराय
 ECAD 3887 0.00000000 तमाम - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE R5030218 तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.65 V @ 470 ए 1.5 µs 45 सना @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 175a -
XBW1SS400-G Torex Semiconductor Ltd XBW1SS400-G 0.0478
सराय
 ECAD 4776 0.00000000 सराफक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 XBW1SS400 तमाम Sod-523p तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 ° C 100ma 0.5pf @ 0v, 1MHz
JANTX1N750D-1 Microchip Technology Jantx1n750D-1 7.2600
सराय
 ECAD 9057 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/127 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N750 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 1.5 V 4.7 वी 19 ओम
1PMT5923E3/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5923E3/TR7 -
सराय
 ECAD 9685 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-216aa 1pmt5923 3 डब Do-216aa तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 6.5 V 8.2 वी 3.5 ओम
MMXZ5254B-TP Micro Commercial Co MMXZ5254B-TP 0.2100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 MMXZ5254 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 100 एमए 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
JANTXV1N3028C-1 Microchip Technology Jantxv1n3028c-1 38.0400
सराय
 ECAD 5414 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/115 थोक शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N3028 1 डब Do-41 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 16.7 V 22 वी 23 ओम
MMSZ4683-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4683-HE3-08 0.0368
सराय
 ECAD 4473 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 Mmsz4683 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 800 पायल @ 1 वी 3 वी
BZX584B6V8 Yangjie Technology BZX584B6V8 0.0200
सराय
 ECAD 800 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 १५० तंग एस एस -523 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-BZX584B6V8TR Ear99 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
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  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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