SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
SMZG3795BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3795BHE3/5B 0.1980
सराय
 ECAD 2597 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग SMZG3795 1.5 डब DO-215AA (SMBG) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 13.7 V 18 वी 12 ओम
1N5941E3/TR13 Microchip Technology 1N5941E3/TR13 -
सराय
 ECAD 2665 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5941 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 .a @ 35.8 V 47 वी 67 ओम
SIDC81D120F6X1SA1 Infineon Technologies SIDC81D120F6X1SA1 -
सराय
 ECAD 2594 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur शराबी SIDC78D तमाम सोरस तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 2.1 वी @ 100 ए 27 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 100 ए -
CDLL5237B Microchip Technology Cdll5237b 2.8650
सराय
 ECAD 5484 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf CDLL5237 10 सभा Do-213ab तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 8 ओम
BYW72-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW72-tr 0.5148
सराय
 ECAD 5750 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYW72 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 200 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
JANS1N4970CUS/TR Microchip Technology JANS1N4970CUS/TR 368.3100
सराय
 ECAD 5251 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/356 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b 5 डब ई-ई - 150-JANS1N4970CUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 वी @ 1 ए 2 @a @ 25.1 V 33 वी 10 ओम
CFRM104-HF Comchip Technology CFRM104-HF 0.4800
सराय
 ECAD 800 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123T CFRM104 तमाम मिनी मिनी/एसओडी -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N5334A/TR8 Microsemi Corporation 1N5334A/TR8 -
सराय
 ECAD 2474 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5334 5 डब टी 18 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए 150 @a @ 1 वी 3.6 वी 2.5 ओम
AZ23B4V3-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V3-E3-08 0.0509
सराय
 ECAD 8805 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b4v3 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 4.3 वी 95 ओम
1N3162R Solid State Inc. 1N3162R 21.0000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum तंग, तमाम Do-9 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N3162R Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.25 वी @ 240 ए 75 @a @ 100 वी -65 ° C ~ 200 ° C 240A -
1N5915CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5915CP/TR12 -
सराय
 ECAD 1777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5915 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 25 µa @ 1 वी 3.9 वी 7.5 ओम
MMXZ5254C-TP Micro Commercial Co MMXZ5254C-TP 0.0488
सराय
 ECAD 3182 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 MMXZ5254 200 सभा Sod -323 तंग 353-MMXZ5254C-TP Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 100 एमए 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
JANTX1N3070UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n3070ur-1/tr -
सराय
 ECAD 3785 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/169 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AA, DO-7, SAUTCUN तमाम Do-7 - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantx1n3070ur-1/tr Ear99 8541.10.0070 1 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 175 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gaba @ 175 वी -65 ° C ~ 175 ° C 100ma -
B180AE-13 Diodes Incorporated B180AE-13 -
सराय
 ECAD 1653 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA B180 schottky एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 790 mV @ 1 ए 200 @a @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 27pf @ 4v, 1MHz
BZX284-C9V1,115 NXP USA Inc. BZX284-C9V1,115 -
सराय
 ECAD 1608 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोड -110 BZX284 ४०० तंग सोड -110 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 10 ओम
JANTXV1N5822.TR Semtech Corporation Jantxv1n5822.tr -
सराय
 ECAD 2691 0.00000000 अफ़सतर - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun शोट्की, रयरी Do-201ad तंग 600-jantxv1n5822.tr Ear99 8541.10.0080 250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 525 mV @ 3 ए 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
KBJ610G-BP Micro Commercial Co KBJ610G-BP 1.0900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, केबीजे KBJ610 तमाम KBJ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1 वी @ 3 ए 5 µA @ 1000 V 6 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
BZT52B3V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G 0.0461
सराय
 ECAD 2418 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B3V3-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
BAT15099RE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT15099RE6327HTSA1 1.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) TO-253-4, TO-253AA BAT15099 पीजी-एसओटी -143-3 डी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 110 100 तंग 0.5pf @ 0v, 1MHz Schottky - कthurॉस rayr 4V -
VS-S481B Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-एस 481 बी -
सराय
 ECAD 9745 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S481b - 112-एस-एस 481 बी 1
CDLL4920 Microchip Technology CDLL4920 34.3800
सराय
 ECAD 6155 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa CDLL4920 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 12 वी 19.2 वी 300 ओम
BAV21TR Fairchild Semiconductor Bav21tr -
सराय
 ECAD 4263 0.00000000 सराय - थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BAV21 तमाम DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
Z3SMC62 Diotec Semiconductor Z3SMC62 0.2393
सराय
 ECAD 4124 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 3 डब SMC (DO-214AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2796-Z3SMC62TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 28 V 62 वी 25 ओम
1N3161R Solid State Inc. 1N3161R 21.0000
सराय
 ECAD 50 0.00000000 अँगुला - कड़ा शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum तंग, तमाम Do-9 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 2383-1N3161R Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 240 ए 75 @a @ 50 वी -65 ° C ~ 200 ° C 240A -
ACZRW5252B-G Comchip Technology Aczrw5252b-g 0.0556
सराय
 ECAD 5394 0.00000000 कॉमचिप टेक सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 ACZRW5252 ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 33 ओम
JANTX1N5543D-1 Microchip Technology Jantx1n5543d-1 27.2250
सराय
 ECAD 8324 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/437 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5543 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 22.4 25 वी 100 ओम
JANTXV1N6490C Microchip Technology Jantxv1n6490c -
सराय
 ECAD 9554 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/406 थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 - रोहस तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.5 वी @ 1 ए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
BZD27C43P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C43P-E3-08 0.4100
सराय
 ECAD 4251 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C43 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
BZT52B2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-E3-08 0.3200
सराय
 ECAD 6602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B2V7 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2.7 वी 75 ओम
S2GHE3-LTP Micro Commercial Co S2GHE3-LTP 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 जी तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 353-S2GHE3-LTPTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 2 ए 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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