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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
DS2433S Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2433S -
सराय
ECAD 2280 0.00000000 तंग kanak इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) DS2433 ईपॉम - 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 88 सराय 4kbit 2 µs ईपॉम 256 x 16 1 कसौटी® -
CG7811AA Infineon Technologies CG7811AA -
सराय
ECAD 6352 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1
AT45DB041B-TC Microchip Technology AT45DB041B-TC -
सराय
ECAD 8258 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau At45db041 चमक 2.7V ~ 3.6V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 234 २० सभा सराय 4Mbit चमक २६४ सभ्य X २०४ पृष एसपीआई 14ms
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12ITZ: ए -
सराय
ECAD 6198 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,120 83 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
S25FS512SAGNFM010 Infineon Technologies S25FS512SAGNFM010 12.9500
सराय
ECAD 3623 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, एईसी-क कthयू 100, एफएस-एस शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FS512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
70V639S12BF Renesas Electronics America Inc 70V639S12BF 179.1410
सराय
ECAD 7847 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 208-LFBGA 70V639 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3.15V ~ 3.45V 208-से (15x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 7 सराय 2.25MBIT 12 एनएस शिर 128K x 18 तपस्वी 12NS
W25X40CLDAIG Winbond Electronics W25X40CLDAIG -
सराय
ECAD 7692 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) W25x40 चमक 2.3V ~ 3.6V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 90 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 800 ओएफएस
AT25020-10PC-2.7 Microchip Technology AT25020-10PC-2.7 -
सराय
ECAD 1908 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT25020 ईपॉम 2.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 ३ सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8 एसपीआई 5ms
IS42S32160B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7TLI-TR -
सराय
ECAD 2381 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
70V659S12BF8 Renesas Electronics America Inc 70V659S12BF8 232.8147
सराय
ECAD 8231 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 208-LFBGA 70V659 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3.15V ~ 3.45V 208-से (15x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4.5mbit 12 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी 12NS
S29GL256P90FACR10 Infineon Technologies S29GL256P90FACR10 -
सराय
ECAD 6111 0.00000000 इंफीनन टेक Gl-p शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 180 सराय 256Mbit 90 एनएस चमक 32 सिया x 8 तपस्वी 90NS
CY7C1413KV18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1413KV18-250BZXC 59.7700
सराय
ECAD 9807 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1413 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 136 २५० तंग सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
DS1230AB-120IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-120IND -
सराय
ECAD 5304 0.00000000 तंग kanak इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-dip मॉडthi (0.600 ", 15.24 मिमी) DS1230AB Thir एएम 4.75V ~ 5.25V 28-एडिप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0041 12 सराय 256kbit 120 एनएस एक प्रकार का 32K x 8 तपस्वी 120NS
S25FL129P0XNFV011 Infineon Technologies S25FL129P0XNFV011 -
सराय
ECAD 1760 0.00000000 इंफीनन टेक Fl-p नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FL129 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 82 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 5s, 3ms
71V321L25JI Renesas Electronics America Inc 71V321L25JI -
सराय
ECAD 3369 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 71V321L Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 24 सराय 16kbit 25 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 25NS
IS45S16160G-6CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-6CTLA1-TR 6.3027
सराय
ECAD 6326 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
AT49F001N-70TC Microchip Technology AT49F001N-70TC -
सराय
ECAD 1958 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT49F001 चमक 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT49F001N70TC Ear99 8542.32.0071 156 सराय 1mbit 70 एनएस चमक 128K x 8 तपस्वी 50
CAT28C257N-12 onsemi CAT28C257N-12 -
सराय
ECAD 4866 0.00000000 Onsemi * थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) CAT28C257 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) - रोहस सराय 2156-CAT28C257N-12 Ear99 8542.32.0071 1 सराय 256kbit 120 एनएस ईपॉम 32K x 8 5ms
AT28HC256-12SU-T Microchip Technology AT28HC256-12SU-T 13.1700
सराय
ECAD 2498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) AT28HC256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 1,000 सराय 256kbit 120 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 10ms
71V424S15PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S15PHGI 7.7000
सराय
ECAD 176 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) 71V424 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 15 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 15NS
MT62F1536M32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AIT: B 43.5300
सराय
ECAD 6163 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AIT: B 1 3.2 GHz सराय 48gbit घूंट 1.5GX 32 तपस्वी -
24LC256-I/MS Microchip Technology 24LC256-I/MS 1.2000
सराय
ECAD 6760 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 24LC256 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 256kbit 900 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 5ms
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
सराय
ECAD 8538 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
GD25LE128E3IRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128E3IRR 1.4524
सराय
ECAD 5134 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 26-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 26-WLCSP - 1970-GD25LE128E3IRTRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
AT24C64-10PI-2.5 Microchip Technology AT24C64-10PI-2.5 -
सराय
ECAD 9173 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT24C64 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम AT24C6410PI2.5 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz सराय 64kbit 900 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 10ms
93AA46B-I/SN Microchip Technology 93AA46B-I/SN 0.3200
सराय
ECAD 96 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93AA46 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 1kbit ईपॉम 64 x 16 अफ़सस 6ms
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT -
सराय
ECAD 6126 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abafawp-it: f tr 3.0489
सराय
ECAD 4472 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F4G08ABAFAWP-IT: FTR 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F768G08EEHBBJ4-3R: B -
सराय
ECAD 9583 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F768G08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 768GBIT चमक 96G x 8 तपस्वी -
IDT71V3557SA80BQGI Renesas Electronics America Inc IDT71V3557SA80BQGI -
सराय
ECAD 4709 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IDT71V3557 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग 3 (168 घंटे) तमाम 71V3557SA80BQGI 3A991B2A 8542.32.0041 136 सराय 4.5mbit 8 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम