SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
24CS256T-E/ST Microchip Technology 24CS256T-E/ST 0.9400
सराय
ECAD 8494 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP - 1 (असीमित) 2,500 1 सराय सराय 256kbit 400 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 5ms
MEM-DR432L-CL03-ER32-C ProLabs MEM-DR432L-CL03-ER32-C 385.0000
सराय
ECAD 3240 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-MEM-DR432L-CL03-ER32-C Ear99 8473.30.5100 1
SM662PXB-BD Silicon Motion, Inc. SM662PXB-BD -
सराय
ECAD 6251 0.00000000 सिलिकॉन मोशन, इंक। - शिर शिर SM662 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1
24AA128SC-I/WF16K Microchip Technology 24AA128SC-I/WF16K -
सराय
ECAD 6050 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur शराबी 24AA128 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V शराबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz सराय 128kbit 900 एनएस ईपॉम 16K x 8 मैं एसी 5ms
MT25QU128ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-1SIT TR -
सराय
ECAD 1931 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT25QU128ABA8E12-1SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
IS62WV5128EALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55T2LI -
सराय
ECAD 1680 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 32-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS49NLC93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25B -
सराय
ECAD 3637 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
S99PL127J0140 Infineon Technologies S99PL127J0140 -
सराय
ECAD 9591 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - रोहस 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1
MX25U51245GXDI0A Macronix MX25U51245GXDI0A -
सराय
ECAD 4382 0.00000000 तिहाई MX25XXX45 - MXSMIO ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MX25U51245 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 480 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 60 के दशक, 750 एस
W29N01HWBINF Winbond Electronics W29N01HWBINF 3.4493
सराय
ECAD 3877 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए W29N01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W29N01HWBINF 3A991B1A 8542.32.0071 210 सराय 1gbit 25 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 25NS
AT49F002T-90TI Microchip Technology AT49F002T-90TI -
सराय
ECAD 3050 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT49F002 चमक 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT49F002T90TI Ear99 8542.32.0071 156 सराय 2mbit 90 एनएस चमक 256K x 8 तपस्वी 50
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ITE: D TR -
सराय
ECAD 6982 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
CY7C1425JV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1425JV18-250BZC 67.2400
सराय
ECAD 15 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1425 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) तंग रोहस 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit शिर 4 सिया x 9 तपस्वी - तमाम नहीं है
BR25G256FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR25G256FVT-3GE2 1.0700
सराय
ECAD 8380 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) BR25G256 ईपॉम 1.6V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 २० सभा सराय 256kbit ईपॉम 32K x 8 एसपीआई 5ms
CY7C1460KVE33-167AXI Infineon Technologies CY7C1460KVE33-167AXI 72.5375
सराय
ECAD 4915 0.00000000 इंफीनन टेक Nobl ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1460 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 360 167 अय्यर सराय 36mbit 3.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
W25Q64CVSFJG TR Winbond Electronics W25Q64CVSFJG TR -
सराय
ECAD 2662 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) W25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम W25Q64CVSFJGTR शिर 0000.00.0000 1,000 80 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 50s, 3ms
MT28F400B5SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 THERCHEN -
सराय
ECAD 3407 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT29F64G08CBABBWPR:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWPR: B TR -
सराय
ECAD 5535 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
S25FL164K0XMFI013 Infineon Technologies S25FL164K0XMFI013 -
सराय
ECAD 6076 0.00000000 इंफीनन टेक FL1-k R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) S25FL164 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 108 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 3ms
S99FL132KMM43 Infineon Technologies S99FL132KMM43 -
सराय
ECAD 7492 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1
CY7C144-15AXC Infineon Technologies CY7C144-15AXC -
सराय
ECAD 2001 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक CY7C144 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 90 सराय 64kbit 15 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 15NS
70V3599S133DRGI Renesas Electronics America Inc 70V3599S133DRGI -
सराय
ECAD 1581 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 208-BFQFP 70V3599 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V 208-PQFP (28x28) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 6 १३३ सराय सराय 4.5mbit 4.2 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
M29W160ET70N6E Micron Technology Inc. M29W160ET70N6E -
सराय
ECAD 1831 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -M29W160ET70N6E Ear99 8542.32.0071 576 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
CY7C0853V-133BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C0853V-133BBC -
सराय
ECAD 3639 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 172-एलबीजीए CY7C0853 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.135V ~ 3.465V 172-((15x15) - रोहस 3A991B2A 8542.32.0041 126 १३३ सराय सराय 9mbit शिर 256k x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
FT24C16A-ENR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C16A-ENR-T -
सराय
ECAD 7991 0.00000000 Fremont vapakirो kanaute लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-wfdfn ने पैड को को ranahir rana FT24C16 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-DFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 1 सराय सराय 16kbit 550 एनएस ईपॉम 2k x 8 मैं एसी 5ms
C-CISCOASA/512MB ProLabs सी-सिसthaga/512 एमबी 13.7500
सराय
ECAD 9237 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-C-CISCOASA/512MB Ear99 8473.30.9100 1
W9412G6KH-5I Winbond Electronics W9412G6KH-5I 1.7857
सराय
ECAD 2130 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) W9412G6 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 २०० सराय सराय 128Mbit 50 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AT45DB011B-CI Microchip Technology AT45DB011B-CI -
सराय
ECAD 7723 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 9-TBGA, CSPBGA At45db011 चमक 2.7V ~ 3.6V 9-((5x5) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 490 २० सभा सराय 1mbit चमक २६४ सभ्य X ५१२ सिपाही एसपीआई 15ms
MT62F1536M32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 IT: B 37.6950
सराय
ECAD 8394 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023IT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 48gbit घूंट 1.5GX 32 तपस्वी -
FM27C256V90 Fairchild Semiconductor FM27C256V90 3.8400
सराय
ECAD 2474 0.00000000 सराय - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) FM27C256 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (14x11.46) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0071 1 सराय 256kbit 90 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम