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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
CY7C1520JV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1520JV18-300BZXC 152.0800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1520 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2A 8542.32.0041 2 ३०० तंग सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
PC28F512P30TFA Micron Technology Inc. PC28F512P30TFA -
सराय
 ECAD 2357 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 ५२ सराय सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 100NS
IS61NLP25636A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3I-TR -
सराय
 ECAD 6909 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
93AA66A-I/SN Microchip Technology 93AA66A-I/SN 0.3600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93AA66 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93AA66A-I/SN-NDR Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8 अफ़सस 6ms
7005L17J8 Renesas Electronics America Inc 7005L17J8 -
सराय
 ECAD 5093 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) 7005L17 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 250 सराय 64kbit 17 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 17ns
CY7C168A-45PC Cypress Semiconductor Corp CY7C168A-45PC 3.6200
सराय
 ECAD 241 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 20-((0.300 ", 7.62 मिमी) CY7C168 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 20 तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1 सराय 16kbit 45 एनएस शिर 4K x 4 तपस्वी 45NS
CY7C1020BN-12ZXCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1020BN-12ZXCT -
सराय
 ECAD 5669 0.00000000 Rayr सेमीकंडक * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-CY7C1020BN-12ZXCT-428 1 तमाम नहीं है
IS42S32400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TLI 5.8044
सराय
 ECAD 6815 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
MTFC16GAPALBH-AIT ES TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AIT ES TR -
सराय
 ECAD 3746 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
7024S17PFI8 Renesas Electronics America Inc 7024S17PFI8 -
सराय
 ECAD 3464 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 7024S17 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 750 सराय 64kbit 17 एनएस शिर 4K x 16 तपस्वी 17ns
71321LA35PF8 Renesas Electronics America Inc 71321LA35PF8 -
सराय
 ECAD 9087 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 71321LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 750 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
IS25LX512M-JHA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHA3-TRE -
सराय
 ECAD 1490 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25LX512M चमक 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LX512M-JHA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ -
M29F200BB70N6T TR Micron Technology Inc. M29F200BB70N6T TR -
सराय
 ECAD 4320 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F200 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
AS7C1024B-15TCN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15TCN 2.9911
सराय
 ECAD 8461 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AS7C1024 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 156 सराय 1mbit 15 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 15NS
MT47H32M16HR-187E:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E: G TR -
सराय
 ECAD 1210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 512MBIT 350 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AT45DB081B-TC Microchip Technology AT45DB081B-TC -
सराय
 ECAD 2986 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT45DB081 चमक 2.7V ~ 3.6V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 २० सभा सराय 8mbit चमक २६४ सभ्य X ४० ९ ६ किलो एसपीआई 14ms
7006S25PFG Renesas Electronics America Inc 7006S25PFG -
सराय
 ECAD 2545 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 7006S25 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) - 800-7006S25PFG शिर 1 सराय 128kbit 25 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी 25NS
IS66WV51216EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EALL-70BLI 2.8713
सराय
 ECAD 4421 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS66WV51216 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 8mbit 70 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 70NS
S34ML04G100BHB000 SkyHigh Memory Limited S34ML04G100BHB000 -
सराय
 ECAD 2727 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay S34ML04 - रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 2120-S34ML04G100BHB000 3A991B1A 8542.32.0071 210 तमाम नहीं है
MX25U8035EM2I-10G Macronix MX25U8035EM2I-10G 0.5888
सराय
 ECAD 4698 0.00000000 तिहाई MX25XXX35/36 - MXSMIO ™ नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) MX25U8035 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 92 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 30s, 3ms
70V05S12PF Renesas Electronics America Inc 70V05S12PF -
सराय
 ECAD 9717 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर तंग 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 64-TQFP (14x14) - 800-70V05S12PF 1 सराय 64kbit 12 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 12NS
7143LA55PF8 Renesas Electronics America Inc 7143LA55PF8 -
सराय
 ECAD 4380 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 7143LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 750 सराय 32kbit 55 एनएस शिर 2K x 16 तपस्वी 55NS
S29AS016J70YEI019G Infineon Technologies S29AS016J70YEI019G -
सराय
 ECAD 1038 0.00000000 इंफीनन टेक R के ray में थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur शराबी S29AS016 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V एक प्रकार का होना - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 25 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
S25FL256SAGBHIA03 Infineon Technologies S25FL256SAGBHIA03 6.0400
सराय
 ECAD 4969 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
AS4C16M32SC-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32SC-7TIN 17.3100
सराय
 ECAD 197 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS4C16 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1468 Ear99 8542.32.0028 108 १३३ सराय सराय 512MBIT 17 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
W25Q32JVSSAQ Winbond Electronics W25Q32JVSSAQ -
सराय
 ECAD 4330 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक - 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q32JVSSAQ 1 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 3ms
IS62WV5128BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI-TRE 3.3915
सराय
 ECAD 7513 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R -
सराय
 ECAD 5433 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.5V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F8G08ADADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADADAH4: D TR -
सराय
 ECAD 5881 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
24LC04B-I/P Microchip Technology 24LC04B-I/P 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 24LC04B ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 60 400 kHz सराय 4kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 x 2 मैं एसी 5ms
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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AD9208BBPZ-3000

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