SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
LHF00L28 Sharp Microelectronics LHF00L28 -
सराय
ECAD 9839 0.00000000 क्योरहमक्यमक्युर - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) LHF00L28 चमक 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग 3 (168 घंटे) तमाम 425-1885 Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
IS42SM32200M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200M-6BLI 3.4978
सराय
ECAD 6643 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32200 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
CY7C09189-9AC Infineon Technologies CY7C09189-9AC -
सराय
ECAD 5043 0.00000000 इंफीनन टेक - कसना शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C09189 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 90 67 सराय सराय 576kbit 9 एनएस शिर 64K x 9 तपस्वी -
IS45S16400F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2 -
सराय
ECAD 3416 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
MT29F64G08CECDBJ4-10:D Micron Technology Inc. MT29F64G08CECDBJ4-10: डी -
सराय
ECAD 5267 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
S71KL512SC0BHV000 Infineon Technologies S71KL512SC0BHV000 21.3300
सराय
ECAD 1452 0.00000000 इंफीनन टेक सरायस शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-वीबीजीए S71KL512 अफ़म, अणु 2.7V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 676 100 सराय सींग 512MBIT (S फth,), 64Mbit (RAM) अफ़म, रत्न - तपस्वी -
AT34C02N-10SC-1.8 Microchip Technology AT34C02N-10SC-1.8 -
सराय
ECAD 6441 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT34C02 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 10ms
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT: D TR -
सराय
ECAD 5251 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
IDT71V67803S133PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67803S133PFI8 -
सराय
ECAD 2070 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IDT71V67803 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V67803S133PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १३३ सराय सराय 9mbit 4.2 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
93LC76T-I/SN Microchip Technology 93LC76T-I/SN 1.2000
सराय
ECAD 6859 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93LC76 ईपॉम 2.5V ~ 6.0V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 93LC76T-I/SN-NDR Ear99 8542.32.0051 3,300 ३ सराय सराय 8kbit ईपॉम 1k x 8, 512 x 16 अफ़सस 5ms
CAV25160VE-GT3 onsemi CAV25160VE-GT3 0.7200
सराय
ECAD 6520 0.00000000 Onsemi सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CAV25160 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 २० सभा सराय 16kbit ईपॉम 2k x 8 एसपीआई 5ms
7027S35PF8 Renesas Electronics America Inc 7027S35PF8 -
सराय
ECAD 2526 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 7027S35 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 750 सराय 512kbit 35 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 35NS
CAV24C02YE-GT3 onsemi CAV24C02YE-GT3 0.3800
सराय
ECAD 16 0.00000000 Onsemi सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) CAV24C02 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
CY7C128A-15PC Infineon Technologies CY7C128A-15PC -
सराय
ECAD 6787 0.00000000 इंफीनन टेक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) CY7C128A Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 24-पीडीआईपी तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 560 सराय 16kbit 15 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 15NS
W25Q16FWUXAQ Winbond Electronics W25Q16FWUXAQ -
सराय
ECAD 3645 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran W25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-((2x3) - 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q16FWUXAQ शिर 1 १०४ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60s, 3ms
CY7C1018CV33-10VCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1018CV3333-10VCT 1.2400
सराय
ECAD 893 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.300 ", 7.62 मिमी antake) CY7C1018 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-सोज तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
24VL024H/MS Microchip Technology 24VL024H/MS 0.6900
सराय
ECAD 9979 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 24VL024 ईपॉम 1.5V ~ 3.6V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
C-3200D4QR4RN/128G ProLabs C-3200D4QR4RN/128G 1.0000
सराय
ECAD 1511 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-C-3200D4QR4RN/128G Ear99 8473.30.5100 1
24AA014-I/P Microchip Technology 24AA014-I/P 0.4200
सराय
ECAD 6355 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 24AA014 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 60 400 kHz सराय 1kbit 900 एनएस ईपॉम 128 x 8 मैं एसी 5ms
AT27C2048-55PU Microchip Technology AT27C2048-55PU -
सराय
ECAD 2885 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 40-((0.600 ", 15.24 मिमी) AT27C2048 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 40-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 3A991B1B1 8542.32.0061 10 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी -
71421SA35JI Renesas Electronics America Inc 71421SA35JI -
सराय
ECAD 9440 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-जे (जे-लीड) 71421SA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 24 सराय 16kbit 35 एनएस शिर 2k x 8 तपस्वी 35NS
M29F400BB90N1 Micron Technology Inc. M29F400BB90N1 -
सराय
ECAD 9763 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 90NS
IS43LR32400F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32400F-6BLI-TR -
सराय
ECAD 2433 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32400 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
AT45DB011B-SI Microchip Technology AT45DB011B-SI -
सराय
ECAD 4922 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) At45db011 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 95 २० सभा सराय 1mbit चमक २६४ सभ्य X ५१२ सिपाही एसपीआई 15ms
AT49BV1604A-70TI Microchip Technology AT49BV1604A-70TI -
सराय
ECAD 8422 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) AT49BV1604 चमक 2.65V ~ 3.3V 48-स तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 50
M25P40-VMP6TGBO2 TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGBO2 TR -
सराय
ECAD 4365 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25P40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((6x5) (एमएलपी 8) - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 4,000 75 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
CY62128DV30LL-70ZXI Infineon Technologies CY62128DV30LL-70ZXI -
सराय
ECAD 9071 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) CY62128 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 156 सराय 1mbit 70 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 70NS
MTFC32GANALEA-WT Micron Technology Inc. MTFC32GANALEA-WT -
सराय
ECAD 1124 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर Mtfc32g - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,520
MT53D512M32D2DS-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 WT: D -
सराय
ECAD 3424 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT29F2G16AADWP-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AADWP-ET: D TR -
सराय
ECAD 9801 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम