SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
7133LA25JI8 Renesas Electronics America Inc 7133LA25JI8 -
सराय
ECAD 2281 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 68-जे (जे-लीड) 7133LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 250 सराय 32kbit 25 एनएस शिर 2K x 16 तपस्वी 25NS
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 IT: B TR -
सराय
ECAD 1976 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 4 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
93C86BT-E/OT Microchip Technology 93C86BT-E/OT 0.6300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur एसओटी -23-6 93C86 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V एसओटी -23-6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 ३ सराय सराय 16kbit ईपॉम 1k x 16 अफ़सस 2ms
FM24V02-GTR Infineon Technologies FM24V02-GTR -
सराय
ECAD 3487 0.00000000 इंफीनन टेक F-ram ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) FM24V02 फrigurैम (ther फेruriguthurिक riैम) 2V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ३.४ सराय सराय 256kbit 130 एनएस शिर 32K x 8 मैं एसी -
CY7C1423AV18-167BZC Infineon Technologies CY7C1423AV18-167BZC -
सराय
ECAD 2594 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1423 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) - रोहस 3 (168 घंटे) तमाम -Cy7c1423av18 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 अय्यर सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
W25M02GVTBJG Winbond Electronics W25M02GVTBJG -
सराय
ECAD 9746 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25M02 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25M02GVTBJG शिर 480 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 7 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
IS25CD025-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD025-JNLE-TRE -
सराय
ECAD 5941 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25CD025 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 256kbit चमक 32K x 8 एसपीआई 5ms
CY7C1525V18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1525V18-250BZXC -
सराय
ECAD 7145 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1525 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 102 २५० तंग सराय 72MBIT शिर 8 सिया x 9 तपस्वी -
70V27S12PFI Renesas Electronics America Inc 70V27S12PFI -
सराय
ECAD 9993 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 800-70V27S12PFI 1 सराय 512kbit 12 एनएस शिर 32K x 16 Lvttl 12NS
IS65LV256AL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65LV256AL-45TLA3-TR 2.7498
सराय
ECAD 9124 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau IS65LV256 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 28-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 2,000 सराय 256kbit 45 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 45NS
S25HL512TDPBHI010 Infineon Technologies S25HL512TDPBHI010 11.0800
सराय
ECAD 8601 0.00000000 इंफीनन टेक एचएल-एचएल शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25HL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 338 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार -
IS21TF128G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JQLI 66.7335
सराय
ECAD 6805 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS21TF128G-JQLI 98 २०० सराय सराय 1tbit चमक 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 12.6754
सराय
ECAD 2938 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA33 480 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
70V3579S6BCI Renesas Electronics America Inc 70V3579S6BCI 137.5246
सराय
ECAD 6916 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 256-एलबीजीए 70V3579 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V २५६-ओना (११ X17) तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 6 सराय 1.125MBIT 6 एनएस शिर 32K x 36 तपस्वी -
MT29F128G8CBECBH6-12:C Micron Technology Inc. MT29F128G8CBECBH6-12: c -
सराय
ECAD 3220 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29F128G8 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 980
24AA16T-E/OT Microchip Technology 24AA16T-E/OT 0.4400
सराय
ECAD 1547 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 24AA16 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V -23-5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz सराय 16kbit 900 एनएस ईपॉम 2k x 8 मैं एसी 5ms
IS43TR81024B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBL-TR 19.0323
सराय
ECAD 9295 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR81024B-125KBL-TR 2,000 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
AT17N512-10PC Microchip Technology AT17N512-10pc -
सराय
ECAD 3026 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT17N512 तमाम नहीं है 3V ~ 3.6V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 तमाम 512KB
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4-IT: D -
सराय
ECAD 7810 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
24CS256T-E/ST Microchip Technology 24CS256T-E/ST 0.9400
सराय
ECAD 8494 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP - 1 (असीमित) 2,500 1 सराय सराय 256kbit 400 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 5ms
IS21ES08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI -
सराय
ECAD 2600 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21es08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1641 3A991B1A 8542.32.0071 152 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 ईएमएमसी -
CY7C1165V18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1165V18-400BZXC 57.7800
सराय
ECAD 458 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1165 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2A 8542.32.0041 136 ४०० सराय सराय 18mbit शिर 512K x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
CY7C038V-20AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C038V-20AXI 83.3400
सराय
ECAD 23 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C038 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2A 8542.32.0041 6 सराय 1.152MBIT 20 एनएस शिर 64K x 18 तपस्वी 20NS
W9425G6JB-5I TR Winbond Electronics W9425G6JB-5I TR -
सराय
ECAD 3433 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA W9425G6 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 २०० सराय सराय 256Mbit 55 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS66WVE2M16ECLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16ECLL-70BLI 4.8100
सराय
ECAD 410 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Is66wve2m16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 32Mbit 70 एनएस तड़प 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
25LC640XT-I/ST Microchip Technology 25LC640XT-I/ST 0.9700
सराय
ECAD 9638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 25LC640 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 २ सराय सराय 64kbit ईपॉम 8K x 8 एसपीआई 5ms
24AA025E64-E/SN Microchip Technology 24AA025E64-E/SN 0.4200
सराय
ECAD 7482 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 24AA025E64 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
MT53E768M32D2FW-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT: C 24.0600
सराय
ECAD 3702 0.00000000 तमाम - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 557-MT53E768M32D2FW-046WT: C 1
25AA512T-I/MF Microchip Technology 25AA512T-I/MF 2.9250
सराय
ECAD 1077 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar 25AA512 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-DFN-S (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 25AA512T-I/MFTR Ear99 8542.32.0051 3,300 २० सभा सराय 512kbit ईपॉम 64K x 8 एसपीआई 5ms
70V3399S133BFGI8 Renesas Electronics America Inc 70V3399S133BFGI8 -
सराय
ECAD 9241 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 208-LFBGA 70V3399 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V 208-से (15x15) तंग 3 (168 घंटे) 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 १३३ सराय सराय 2mbit 4.2 एनएस शिर 128K x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम