SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IDT71V124SA20Y Renesas Electronics America Inc IDT71V124SA20Y -
सराय
ECAD 3724 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IDT71V124 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-सोज तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V124SA20Y 3A991B2B 8542.32.0041 23 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 20NS
R1QDA7236ABG-22IB0 Renesas Electronics America Inc R1QDA7236ABG-22IB00 23.7400
सराय
ECAD 849 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग तंग 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1
IDT71T75602S166PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71T75602S166PF8 -
सराय
ECAD 6305 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IDT71T75 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71T75602S166PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १६६ सराय सराय 18mbit 3.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
25AA128T-I/SN Microchip Technology 25AA128T-I/SN 1.2600
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 25AA128 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,300 10 सराय सराय 128kbit ईपॉम 16K x 8 एसपीआई 5ms
24AA64/SN Microchip Technology 24AA64/एसएन 0.5400
सराय
ECAD 1914 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 24AA64 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 24AA64/sn-ndr Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 64kbit 900 एनएस ईपॉम 8K x 8 मैं एसी 5ms
DS1220Y-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1220Y-100IND+ -
सराय
ECAD 3283 0.00000000 तंग kanak इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से २४-मॉड lect (०.६०० ", १५.२४ मिमी) DS1220Y Thir एएम 4.5V ~ 5.5V 24-डिडिप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0041 1 सराय 16kbit 100 एनएस एक प्रकार का 2k x 8 तपस्वी 100NS
M27C256B-90F6 STMicroelectronics M27C256B-90F6 -
सराय
ECAD 3335 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-CDIP (0.600 ", 15.24 विंडो) विंडो M27C256 EPROM - UV 4.5V ~ 5.5V खिड़की के ranak 28-सीडीआईपी फ फ फ फ फ फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 8542.32.0061 13 सराय 256kbit 90 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी -
AT49BV4096A-12RI Microchip Technology AT49BV4096A-12RI -
सराय
ECAD 8142 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 44-SCIC (0.525 ", 13.34 मिमी rana) AT49BV4096 चमक 2.7V ~ 3.6V 44-शिक तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 16 सराय 4Mbit 120 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 30
24AA02T-I/MNY Microchip Technology 24AA02T-I/MNY 0.3600
सराय
ECAD 6674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wfdfn ने पैड को को ranahir rana 24AA02 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-TDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
AS4C512M8D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BCN -
सराय
ECAD 9437 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-वीएफबीजीए AS4C512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 220 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 6.2000
सराय
ECAD 32 0.00000000 तंग आय अमे शेर, - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) MB85RS1 फrigurैम (ther फेruriguthurिक riैम) 1.8V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 40 सराय सराय 1mbit शिर 128K x 8 एसपीआई -
AS7C3256A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20JCNTR 2.1865
सराय
ECAD 5863 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 28-((0.300 ", 7.62 मिमी ranak) AS7C3256 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 28-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 256kbit 20 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 20NS
MT40A2G4TRF-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-083E: ए -
सराय
ECAD 7516 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a2g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 2 जी x 4 तपस्वी -
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H -
सराय
ECAD 1712 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 121-WFBGA MT29RZ1CV फmum - नंद, DRAM - LPDDR2 1.8V 121-((8x7.5) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 ५३३ सरायम सींग 1Gbit (NAND), 512MBIT (LPDDR2) अफ़म, रत्न 128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2) तपस्वी -
MT29F2G16AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G16AABWP-ET TR -
सराय
ECAD 4665 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
IS61NLP204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204836B-166TQLI 114.4219
सराय
ECAD 6098 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP204836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १६६ सराय सराय 72MBIT 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
RD48F4000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F4000P0ZBQ0A -
सराय
ECAD 6827 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 88-VFBGA, CSPBGA RD48F4000 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,056 ५२ सराय सराय 256Mbit 100 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 100NS
S34ML04G200TFB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200TFB003 -
सराय
ECAD 8486 0.00000000 Rayr सेमीकंडक एमएल -2 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S34ML04 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
CAT28C256GI15 onsemi CAT28C256GI15 -
सराय
ECAD 8400 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) CAT28C256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.43x13.97) तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 32 सराय 256kbit 150 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 5ms
MB85R256FPF-G-BNDE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R256FPF-G-BNDE1 -
सराय
ECAD 3061 0.00000000 तंग आय अमे शेर, - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-SHIC (0.342 ", 8.69 मिमी antake) MB85R256 फrigurैम (ther फेruriguthurिक riैम) 2.7V ~ 3.6V 28-सेप तंग 1 (असीमित) 865-1171 Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 256kbit 150 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 150NS
AT45DB041A-TI Microchip Technology At45db041a-ti -
सराय
ECAD 5644 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau At45db041 चमक 2.7V ~ 3.6V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम At45db041ati Ear99 8542.32.0071 234 १३ सराय सराय 4Mbit चमक २६४ सभ्य X २०४ पृष एसपीआई 14ms
MT46V128M4FN-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-5B: D TR 21.1800
सराय
ECAD 981 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT: A -
सराय
ECAD 5463 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए MT42L32M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी -
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25: B -
सराय
ECAD 2659 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IDT71V416YS12PH Renesas Electronics America Inc IDT71V416YS12PH -
सराय
ECAD 8319 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IDT71V416 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V416YS12PH 3A991B2A 8542.32.0041 26 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
S25FL128LAGMFM013 Infineon Technologies S25FL128LAGMFM013 5.7750
सराय
ECAD 8413 0.00000000 इंफीनन टेक सियार, AEC-Q100, FL-L R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) S25FL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
IS42VM16160D-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI-TR -
सराय
ECAD 3587 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16160 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १२५ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
AT24C02AN-10SI-2.5 Microchip Technology AT24C02AN-10SI-2.5 -
सराय
ECAD 1948 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT24C02 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
AT45DQ161-CCUD-T Adesto Technologies AT45DQ161-CCUD-T -
सराय
ECAD 7776 0.00000000 एडेसmuth टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 9 तंग AT45DQ161 चमक 2.5V ~ 3.6V 9-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 85 सराय सराय 16Mbit चमक 528 KANTHUMANX X 4096 SAUTUS सवार 8s, 6ms
CY7C1268XV18-600BZXC Infineon Technologies CY7C1268XV18-600BZXC -
सराय
ECAD 3558 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1268 SRAM - KENRA, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Cy7c1268xv18-600bzxc 3A991B2A 8542.32.0041 136 ६०० तंग सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम