SIC
close

स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
IDT70T633S15DD Renesas Electronics America Inc IDT70T633S15DD -
सराय
 ECAD 9327 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-lqfp ने पैड को को ranahir ran IDT70T633 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 2.4V ~ 2.6V 144-TQFP (20x20) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 70T633S15DD 3A991B2A 8542.32.0041 6 सराय 9mbit 15 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी 15NS
AT28C256F-15SI Microchip Technology AT28C256F-15SI -
सराय
 ECAD 9056 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) AT28C256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-विज्ञान तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0051 27 सराय 256kbit 150 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 3ms
IS61VPS25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25618A-200B3I-TR -
सराय
 ECAD 7227 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPS25618 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
N25W256A11EF840E Micron Technology Inc. N25W256A11EF840E -
सराय
 ECAD 8017 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए N25W256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई -
S25FL512SAGMFV013 Infineon Technologies S25FL512SAGMFV013 7.2839
सराय
 ECAD 6883 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) S25FL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार - तमाम नहीं है
AT29LV512-15JI Microchip Technology AT29LV512-15JI -
सराय
 ECAD 2787 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) AT29LV512 चमक 3V ~ 3.6V 32-PLCC (13.97x11.43) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 सराय 512kbit 150 एनएस चमक 64K x 8 तपस्वी 20ms
W25Q256FVEBQ Winbond Electronics W25Q256FVEBQ -
सराय
 ECAD 7631 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) - 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q256FVEBQ शिर 1 १०४ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
71016S12YG8 Renesas Electronics America Inc 71016S12YG8 -
सराय
 ECAD 6566 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) 71016s Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 500 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
25AA080CT-I/MS Microchip Technology 25AA080CT-I/MS 0.7500
सराय
 ECAD 8201 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 25AA080 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 10 सराय सराय 8kbit ईपॉम 1k x 8 एसपीआई 5ms
IS61NVP51236-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3I -
सराय
 ECAD 5606 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVP51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 WT: B TR 11.6400
सराय
 ECAD 9807 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E256M32D2DS-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
34LC02-E/ST Microchip Technology 34LC02-E/ST 0.4350
सराय
 ECAD 9151 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 34LC02 ईपॉम 2.2V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 2kbit 400 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
MTFC16GJVEC-2M WT TR Micron Technology Inc. Mtfc16gjvec-2m wt tr -
सराय
 ECAD 1827 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-वीएफबीजीए Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-वीएफबीजीए - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT41K512M16VRN-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT: P 19.1550
सराय
 ECAD 4285 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT41K512M16VRN-107AIT: पी Ear99 8542.32.0036 1,368 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MX25L3233FMI-08G Macronix MX25L3233FMI-08G 1.2000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई Mxsmio ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MX25L3233 फmut - rey औ ही ही ही 2.65V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 44 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक 8m x 4 सवार 50s, 1.2ms
24LC04BT-I/MS Microchip Technology 24LC04BT-I/MS 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 24LC04B ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz सराय 4kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 x 2 मैं एसी 5ms
DS1230AB-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-70+ 28.3400
सराय
 ECAD 43 0.00000000 तंग kanak इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-dip मॉडthi (0.600 ", 15.24 मिमी) DS1230AB Thir एएम 4.75V ~ 5.25V 28-एडिप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम -4941-DS1230AB-70+ Ear99 8542.32.0041 12 सराय 256kbit 70 एनएस एक प्रकार का 32K x 8 तपस्वी 70NS
MT46V64M16P-6T IT:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16P-6T IT: A TR -
सराय
 ECAD 9993 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 167 अय्यर सराय 1gbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
CY62136FV30LL-45ZSXI Infineon Technologies CY62136FV30LL-45ZSXI 4.1400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY62136 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS
CY7C1308DV25C-167BZCT Infineon Technologies CY7C1308DV25C-167BZCT -
सराय
 ECAD 4807 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1308 SRAM - PARBA, DDR 2.4V ~ 2.6V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 167 अय्यर सराय 9mbit शिर 256k x 36 तपस्वी -
M24C04-DRMN8TP/K STMicroelectronics M24C04-DRMN8TP/K 0.3300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M24C04 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 497-15345-2 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 सराय सराय 4kbit 450 एनएस ईपॉम 512 x 8 मैं एसी 4ms
IDT71016S20PHI8 Renesas Electronics America Inc IDT71016S20PHI8 -
सराय
 ECAD 7876 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IDT71016 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71016S20PHI8 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 20NS
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT: E TR 49.0500
सराय
 ECAD 9606 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MTFC64GJVDN-IT Micron Technology Inc. Mtfc64gjvdn-it -
सराय
 ECAD 1158 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-LFBGA MTFC64 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R -
सराय
 ECAD 8748 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
W947D2HBJX5I TR Winbond Electronics W947D2HBJX5I TR -
सराय
 ECAD 3802 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA W947D2 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 २०० सराय सराय 128Mbit 5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
BR25L080F-WE2 Rohm Semiconductor BR25L080F-WE2 0.9400
सराय
 ECAD 61 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) BR25L080 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 ५ सभा सराय 8kbit ईपॉम 1k x 8 एसपीआई 5ms
S25FL132K0XBHV020 Infineon Technologies S25FL132K0XBHV020 -
सराय
 ECAD 9693 0.00000000 इंफीनन टेक FL1-k शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL132 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 338 108 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 3ms
DS1258Y-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1258Y-100 -
सराय
 ECAD 6423 0.00000000 तंग kanak इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 40-मॉड lect (0.610 ", 15.495 मिमी) DS1258Y Thir एएम 4.5V ~ 5.5V 40-एडिप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 9 सराय 2mbit 100 एनएस एक प्रकार का 128K x 16 तपस्वी 100NS
AT27C256R-90TI Microchip Technology AT27C256R-90TI -
सराय
 ECAD 8104 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT27C256 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 28-टॉप तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT27C256R90TI Ear99 8542.32.0061 234 सराय 256kbit 90 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें